[发明专利]铝硅/铝碳化硅复合材料及其制备方法、电子封装装置

权利要求书

1.一种铝硅/铝碳化硅复合材料，所述复合材料包括激光焊接层和铝碳化硅层，所述激光焊接层位于所述铝碳化硅层的上表层；其特征在于，所述激光焊接层为经喷射沉积形成的铝硅材料层。

2.根据权利要求1所述的材料，其特征在于，所述激光焊接层硅相之间连通且含氧量≤1000×10^-6；所述激光焊接层硅相粒径≤100μm。

3.根据权利要求2所述的材料，其特征在于，所述激光焊接层中硅的质量百分比≤55％。

4.一种权利要求1～3中任一项所述铝硅/铝碳化硅复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)将喷射沉积制得的铝硅材料层置于碳化硅预制件顶面，得到复合预制件，并将所述复合预制件放入模具中在550℃～650℃下恒温预热2小时～3小时；

2)熔化铝合金；

3)抽真空后充惰性气体至压力为1.5MPa～2.0MPa下恒温恒压5分钟～15分钟后至增压至8MPa～12MPa，得到所述铝硅/铝碳化硅复合材料。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述碳化硅预制件通过干法模压法或粉末注射成型法制得，所述碳化硅预制件的密度为1.75g/cm³～2.07g/cm³。

6.一种电子封装装置，包括壳体和盖板，所述壳体包括底板和围绕底板设置的围栏，其特征在于，所述复合材料中，至少所述围栏为权利要求1至3中任一项所述的铝硅/铝碳化硅复合材料。

7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述壳体具有矩形结构；所述围栏的侧壁和所述底板为铝碳化硅层，所述壳体中，60mm＜所述壳体内腔长度≤75mm，35mm＜所述壳体内腔宽度≤50mm，所述壳体的内腔长度与所述壳体的内腔宽度之比≤2，且1.5mm≤所述底板的厚度≤2.0mm。

8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，作为所述围栏的铝硅/铝碳化硅复合材料的激光焊接层中含硅质量百分比为22％～55％，余量为铝。

9.根据权利要求6～8中任一项所述的装置，其特征在于，所述盖板为含硅质量百分比为22％～29％喷射沉积铝硅材料。