[发明专利]栅极结构及其形成方法

权利要求书

1.一种栅极结构，包括依次叠置在衬底(10)上的第一栅极(30)和第二栅极(80)，其特征在于，所述第一栅极(30)包括第一平面部(31)和至少一个突出于所述第一平面部(31)的第一凸起部(32)，所述第二栅极(80)设置在所述第一平面部(31)和所述第一凸起部(32)的表面。

2.根据权利要求1所述的栅极结构，其特征在于，

所述第一凸起部(32)呈矩形或梯形。

3.根据权利要求1所述的栅极结构，其特征在于，

所述第一凸起部(32)为两个或者多个。

4.根据权利要求3所述的栅极结构，其特征在于，

相邻两个所述第一凸起部(32)之间的间距为20nm～50nm。

5.根据权利要求3或4所述的栅极结构，其特征在于，

所述第一凸起部(32)的高度为10nm～100nm。

6.根据权利要求3或4所述的栅极结构，其特征在于，

所述第一凸起部(32)的宽度为8nm～20nm。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的栅极结构，其特征在于，

所述第一栅极(30)为浮栅，所述第二栅极(80)为控制栅。

8.一种栅极结构形成方法，其特征在于，所述方法包括：

步骤S100，在衬底(10)上形成具有第一平面部(31)和至少一个突出于所述第一平面部(31)的第一凸起部(32)的第一栅极(30)；

步骤S200，在所述第一平面部(31)和所述第一凸起部(32)上形成第二栅极(80)。

9.根据权利要求8所述的栅极结构形成方法，其特征在于，所述步骤S100包括：

步骤S101，在所述衬底(10)上形成隧穿氧化层(20)、第一栅极预备层(30’)、掩膜层(40)；

步骤S102，刻蚀所述掩膜层(40)、所述第一栅极预备层(30’)、所述隧穿氧化层(20)以及所述衬底(10)形成浅沟槽，在所述浅沟槽中填充隔离物质形成浅沟槽隔离结构(50)；

步骤S103，刻蚀所述掩膜层(40)和所述第一栅极预备层(30’)，形成所述第一栅极(30)；

步骤S104，去除所述掩膜层(40)。

10.根据权利要求9所述的栅极结构形成方法，其特征在于，所述步骤S103包括：

在所述掩膜层(40)表面设置光刻胶层(60)，对所述光刻胶层(60)图形化处理形成与所述第一凸起部(32)对应的光刻图案(61)；

在所述光刻图案(61)的保护下，刻蚀所述掩膜层(40)和所述第一栅极预备层(30’)，形成所述第一栅极(30)。

11.根据权利要求8所述的栅极结构形成方法，其特征在于，所述步骤S100包括：

步骤S111，在所述衬底(10)上设置隧穿氧化层(20)、第一栅极(30)的第一平面部(31)、掩膜层(40)；

步骤S112，刻蚀所述掩膜层(40)、所述第一平面部(31)、所述隧穿氧化层(20)以及所述衬底(10)形成浅沟槽，在所述浅沟槽中填充隔离物质形成浅沟槽隔离结构(50)；

步骤S113，刻蚀所述掩膜层(40)至所述第一平面部(31)的表面，以在所述掩膜层(40)上形成凹槽(41)；

步骤S114，从所述第一平面部(31)的表面沿所述凹槽(41)的侧面形成所述第一凸起部(32)，所述第一凸起部(32)与所述第一平面部(31)形成所述第一栅极(30)；

步骤S115，去除所述掩膜层(40)。

12.根据权利要求11所述的栅极结构形成方法，其特征在于，所述步骤S113包括：

采用干法刻蚀法刻蚀所述掩膜层(40)，优选所述干法刻蚀法为等离子体刻蚀或反应离子刻蚀。

13.根据权利要求11所述的栅极结构形成方法，其特征在于，所述步骤S114包括：

从所述第一平面部(31)的表面沿所述凹槽(41)的侧面沉积形成第一凸起预备部，对所述第一凸起预备部抛光形成所述第一凸起部(32)。