[发明专利]一种焊盘下装置的检测结构及检测方法

权利要求书

1.一种焊盘下装置的检测结构，包括位于所述焊盘下方的检测单元；

其中，所述检测单元包括若干环形振荡器，所述若干环形振荡器线形排列形成线形阵列或者内外嵌套形成环形阵列，用于在对所述焊盘接合和/或探测前对所述检测单元进行测试；在对所述焊盘接合和/或探测后对所述检测单元进行测试；对比接合和/或探测前后的测试结果，分析接合或者探测步骤对焊盘下装置性能的影响，对所述焊盘下装置进行评价。

2.根据权利要求1所述的检测结构，其特征在于，所述若干环形振荡器线形排列成若干行，每一行包括若干列，以形成所述线形阵列；其中每个所述环形振荡器包括相同数目的反相器。

3.根据权利要求1所述的检测结构，其特征在于，所述环形阵列包括内外嵌套设置的一个内环形振荡器和一个外环形振荡器，其中，所述内环形振荡器和所述外环形振荡器包括相同数目的反相器。

4.根据权利要求3所述的检测结构，其特征在于，所述外环形振荡器和所述内环形振荡器整体呈方形结构，所述外环形振荡器的一边包括N个反相器，另一边包括M个反相器，相应地，所述内环形振荡器的一边包括N-2个反相器，另一边包括M-2个反相器，且M和N的取值满足2N+2M-4＝(N-2)(M-2)。

5.根据权利要求1或3所述的检测结构，其特征在于，在所述环形阵列的外围还设置有若干虚拟反相器，以包围所述环形阵列，其中，所述虚拟反相器彼此独立设置。

6.根据权利要求1所述的检测结构，其特征在于，在所述环形阵列中，由内到外所述环形振荡器中反相器的数目依次增加。

7.根据权利要求1所述的检测结构，其特征在于，每个所述环形振荡器都具有测试端，用于连接。

8.根据权利要求1所述的检测结构，其特征在于，所述环形振荡器包括若干反相器首尾相连，其中，每个反相器包括一个NMOS和一个PMOS，所述NMOS和所述PMOS的栅极相连形成所述反相器的输入端，所述NMOS漏极和所述PMOS的源极相连形成所述反相器的输出端，所述NMOS的源极接地，所述PMOS的源极连接电源。

9.一种基于权利要求1-8之一所述结构的检测方法，包括：

步骤(a)在对所述焊盘接合和/或探测前对所述检测单元进行测试；

步骤(b)在对所述焊盘接合和/或探测后对所述检测单元进行测试；

步骤(c)对比接合和/或探测前后的测试结果，分析接合或者探测步骤对焊盘下装置性能的影响。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述性能包括传播延迟性能。