[发明专利]一种铁磁半导体材料(Sr,Na)(Zn,Mn)2As2及其制备方法有效
| 申请号： | 201410201977.X | 申请日： | 2014-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN105097173B | 公开（公告）日： | 2018-03-02 |
| 发明（设计）人： | 靳常青;陈碧娟;邓正 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01F1/40 | 分类号： | H01F1/40;H01L43/10 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司11280 | 代理人： | 王勇,王博 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体材料 sr na zn mn sub as 及其 制备 方法 | ||
1.一种铁磁半导体材料，其化学式为(Sr1-yNay)(Zn1-xMnx)2As2，其中0.1<y<0.4，0.05<x<0.3。
2.根据权利要求1所述的铁磁半导体材料，其中所述铁磁半导体材料的晶体结构属六方晶系。
3.一种制备如权利要求1所述的铁磁半导体材料的方法，利用固相反应法，在与氧隔离的环境中烧结前躯体，形成(Sr1-yNay)(Zn1-xMnx)2As2，0.1<y<0.4，0.05<x<0.3，
其中所述前躯体的物质选自如下物质构成的组：Sr、Na、Zn、Mn、As、SrAs、MnAs、ZnAs、Na3As，其中各种物质的含量满足所要制备的铁磁半导体材料(Sr1-yNay)(Zn1-xMnx)2As2中各种元素的配比，其中固相反应法所采用的烧结温度为670-1000℃。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述烧结过程在常压下进行。
5.根据权利要求3所述的方法，其中所述烧结过程在高于一个大气压的压力下进行。
6.根据权利要求3所述的方法，其中所述前躯体包括Sr、Zn、Mn、As、Na3As。
7.根据权利要求3所述的方法，其中所述前躯体包括SrAs、Zn、Mn、As、Na3As。
8.根据权利要求3所述的方法，其中所述前躯体包括Sr、ZnAs、Mn、As、Na3As。
9.根据权利要求3所述的方法，其中所述前躯体包括Sr、Zn、MnAs、As、Na3As。
10.根据权利要求3所述的方法，其中所述烧结过程在惰性气体或真空环境中进行。
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