[发明专利]一种适用于TD-LTE天线的小型化宽频辐射单元

权利要求书

1.一种适用于TD-LTE天线的小型化宽频辐射单元，其特征在于：包括分

别印刷在PCB介质板（16）正、反两面的辐射体，用于调节低频驻波比及交叉极化比的下沉柱（8），镀锡金属底座（9），同轴电缆（10）；

所述的辐射体包括两组相互垂直的半波振子，半波振子的两臂为对称分布的金属片（1）；

所述的下沉柱（8）垂直焊接在辐射体末端开设的金属化过孔中；

所述的镀锡金属底座（9）包括两个支撑柱（15）和一个固定座（17），两个支撑柱垂直于固定座，通过两个支撑柱与辐射体连接起到支撑辐射体和平衡半波振子两臂电流的作用；

所述的同轴电缆穿过开设在镀锡金属底座（9）固定座上的过孔后与辐射体连接，对辐射体进行馈电。

2.根据权利要求1所述的一种适用于TD-LTE天线的小型化宽频辐射单元，其特征在于：所述的半波振子包括金属片（1）和馈电片（5），两组金属片对称分布形成半波振子的两臂；

该金属片（1）通过光刻工艺印刷在PCB介质板（16）的正、反两面，所述的金属片（1）的轮廓边缘处均设置有金属化过孔（7），正、反两面的金属片（1）通过开设在该金属片轮廓边缘的金属化过孔（7）实现电连接；

该馈电片（5）印刷在PCB介质板（16）的正、反两面，并通过金属化过孔（7）与同轴电缆（10）的内芯焊接在一起，实现同轴电缆对半波振子的馈电。

3.根据权利要求书2所述的一种适用于TD-LTE天线的小型化宽频辐射单元，其特征在于：所述的下沉柱（8）分别位于辐射体中每个金属片（1）的末端，并垂直的穿过金属片（1）末端的金属化过孔（4）与金属片（1）焊接在一起，以实现调节低频驻波比以及辐射单元的交叉极化比。

4.根据权利要求书1所述的一种适用于TD-LTE天线的小型化宽频辐射单元，其特征在于：所述的镀锡金属底座（9）中支撑柱（15）的焊接端呈阶梯型；固定座（17）上开设有定位柱（11）、同轴电缆过孔（12）以及固定孔（13）。

5.根据权利要求书2所述的一种适用于TD-LTE天线的小型化宽频辐射单

元，其特征在于：所述的两组半波振子的馈电点分别印刷在PCB介质的正、反两面。

6.根据权利要求书3所述的一种适用于TD-LTE天线的小型化宽频辐射单

元，其特征在于：所述下沉柱的长度为0.05 - 0.1个中心波长。

7.根据权利要求书4所述的一种适用于TD-LTE天线的小型化宽频辐射单

元，其特征在于：所述镀锡金属底座（9）的高度为0.2-0.3个中心波长。