[发明专利]显示面板及其制作方法有效
申请号: | 201410202922.0 | 申请日: | 2014-05-14 |
公开(公告)号: | CN103972244B | 公开(公告)日: | 2017-01-11 |
发明(设计)人: | 叶昭纬;丁天伦;杜振源;张家铭;林俊男;徐文浩;苏振嘉 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 郭蔚 |
地址: | 中国台湾新竹 科*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制作方法 | ||
【技术领域】
本发明是有关于一种显示面板及其制作方法,且特别是有关于一种具有较佳结构可靠度的显示面板及其制作方法。
【背景技术】
已知的有源元件阵列基板的制作方法是于基板上形成有源元件,接着,于有源元件上覆盖整层完整的保护层,其中保护层完全覆盖有源元件与基板。之后,再蚀刻保护层至有源元件,并且再形成图案化像素电极于保护层上,其中图案化像素电极会暴露出其底下的部分保护层。然而,蚀刻保护层至有源元件时,仍会造成有源元件表面损伤与接触面不佳的问题产生。如此一来,将造成有源元件阵列基板的制程良率下降,同时也会降低有源元件阵列基板的结构可靠度。
【发明内容】
本发明提供一种显示面板及其制作方法,可以解决已知蚀刻过程中侵蚀到有源元件或彩色滤光图案的问题,具有较佳的结构可靠度。
本发明的显示面板的制作方法,其包括以下步骤。于一第一基板形成至少一有源元件,其中第一基板区分有至少一像素区,且有源元件位于像素区并具有一源极与一漏极。形成一第一绝缘层于第一基板上且覆盖有源元件。形成至少一彩色滤光图案于第一绝缘层上,且彩色滤光图案暴露出位于漏极上方的部分第一绝缘层。形成一保护层于彩色滤光图案上,且保护层覆盖彩色滤光图案与彩色滤光图案所暴露出位于漏极上方的部分第一绝缘层。形成一第二绝缘层于保护层上,且第二绝缘层覆盖保护层,其中保护层的蚀刻速率低于第二绝缘层的蚀刻速率。对第二绝缘层进行一图案化程序,至暴露出有源元件的部分漏极以及部分保护层,而形成一图案化绝缘层,其中图案化绝缘层具有多个对应像素区设置的条状结构,且每二相邻条状结构之间具有至少一凹槽,且凹槽暴露出部分保护层。形成一像素电极于图案化绝缘层上,其中像素电极为一块状电极且覆盖图案化绝缘层的条状结构与凹槽,并依据条状结构而凸起以形成多个条状电极,且像素电极连接图案化绝缘层所暴露出的有源元件的部分漏极。将一第二基板跟第一基板组装,其中第二基板上已形成有一对应像素电极的共用电极,并于像素电极与共用电极之间设置一显示介质层。
在本发明的一实施例中,上述的对第二绝缘层进行图案化程序,而形成图案化绝缘层的步骤包括:形成一第一图案化光阻层于第二绝缘层上,第一图案化光阻层暴露出位于像素区的彩色滤光图案上的部分第二绝缘层以及位于漏极上方的部分第二绝缘层:以第一图案化光阻层为一第一蚀刻罩幕,蚀刻至暴露出位于像素区的彩色滤光图案上的部分保护层以及位于漏极上方的部分保护层;移除第一图案化光阻层,以暴露出第二绝缘层,且第二绝缘层具有对应像素区设置的条状结构以及每二相邻条状结构之间具有凹槽,以暴露出部分保护层;形成一第二图案化光阻层于移除第一图案化光阻层之后所暴露出的第二绝缘层上,第二图案化光阻层暴露出位于漏极上方的部分保护层;以第二图案化光阻层为一第二蚀刻罩幕,蚀刻至暴露出部分漏极;以及移除第二图案化光阻层。
在本发明的一实施例中,上述的对第二绝缘层进行图案化程序,而形成图案化绝缘层的步骤包括:形成一第一图案化光阻层于第二绝缘层上,第一图案化光阻层暴露出位于源极上方的部分第二绝缘层;以第一图案化光阻层为一第一蚀刻罩幕,蚀刻至暴露出部分漏极;移除第一图案化光阻层,以暴露出第二绝缘层;形成一第二图案化光阻层于移除第一图案化光阻层之后所暴露出的第二绝缘层上,第二图案化光阻层暴露出位于像素区的彩色滤光图案上的部分第二绝缘层;以第二图案化光阻层为一第二蚀刻罩幕,蚀刻至暴露出位于像素区的彩色滤光图案上的部分保护层;以及移除第二图案化光阻层,以暴露出第二绝缘层,且第二绝缘层具有对应像素区设置的条状结构以及每二相邻条状结构之间具有凹槽,以暴露出部分保护层。
在本发明的一实施例中,上述的对第二绝缘层进行图案化程序,而形成图案化绝缘层的步骤包括:形成一光阻层于第二绝缘层上,光阻层覆盖第二绝缘层;提供一半调式光罩于光阻层上,并进行一显影程序,以暴露出位于像素区的彩色滤光图案上的光阻层的一部分以及位于漏极上方的部分第二绝缘层;以光阻层为一蚀刻罩幕,蚀刻至暴露出位于像素区的彩色滤光图案上的部分保护层以及部分漏极;以及移除光阻层,以暴露出第二绝缘层,且第二绝缘层具有对应像素区设置的条状结构以及每二相邻条状结构之间具有凹槽,以暴露出部分保护层。
在本发明的一实施例中,上述的保护层的厚度约介于0.01微米至0.3微米之间,而第二绝缘层的厚度约介于0.1微米至0.5微米之间。
在本发明的一实施例中,上述的保护层的材质包括氧化硅、氮氧化硅、氮化铝或氮化硅铝。
在本发明的一实施例中,上述的第二绝缘层的材质包括氮化硅、氮氧化硅、氧化铝或氧化硅铝。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的