[发明专利]一种C/SiC-HfC碳纤维增强超高温陶瓷基复合材料的制备方法有效
申请号: | 201410203158.9 | 申请日: | 2014-05-14 |
公开(公告)号: | CN103992115A | 公开(公告)日: | 2014-08-20 |
发明(设计)人: | 王一光;罗磊;刘俊朋;段刘阳;张立同;成来飞 | 申请(专利权)人: | 西北工业大学 |
主分类号: | C04B35/565 | 分类号: | C04B35/565;C04B35/52;C04B35/622 |
代理公司: | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人: | 王鲜凯 |
地址: | 710072 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 sic hfc 碳纤维 增强 超高温 陶瓷 复合材料 制备 方法 | ||
1.一种C/SiC-HfC碳纤维增强超高温陶瓷基复合材料的制备方法,其特征在于步骤如下:
步骤1、复合材料预制体制备:将开气孔率为20vol%~40vol%的复合材料预制体使用超声波清洗1小时,烘箱中100℃~120℃经过1~2小时烘干得到清洁干燥的复合材料预制体;
步骤2、浆料制备:将C有机前驱体和六次甲基四胺溶解在无水乙醇中,球磨24~48小时得到浆料;六次甲基四胺的质量为C有机前驱体质量的10%;通过无水乙醇的含量控制浆料的粘度为20~200mPa·s;调节PH值为9~11;
步骤3、真空压力浸渍:将步骤1中的复合材料预制体真空压力浸渍在浆料中,真空度为-0.05MPa~-0.10MPa,压力为0.8MPa~1.0Mpa,使得浆料中的C有机前驱体浸入C/SiC预制体内;
步骤4、固化裂解:将浸渗后的C/SiC材料在烘箱中60℃固化1小时,150℃固化1小时,然后在氩气保护下900℃~1800℃热处理2小时裂解C有机前驱体;
步骤5、反应熔体渗透RMI:在高于硅铪合金熔点50~200℃的真空条件下,将硅铪合金渗入步骤5得到的C/SiC材料中与C反应,原位生成抗烧蚀成分HfC和SiC,得到C/SiC-HfC复合材料。
2.根据权利要求1所述C/SiC-HfC碳纤维增强超高温陶瓷基复合材料的制备方法,其特征在于:所述复合材料预制体为采用致密化方法制备的三维穿刺、二维叠层或三维编织的C/SiC或者C/C复合材料预制体。
3.根据权利要求1所述C/SiC-HfC碳纤维增强超高温陶瓷基复合材料的制备方法,其特征在于:所述致密化方法为CVI或PIP致密化方法。
4.根据权利要求1所述C/SiC-HfC碳纤维增强超高温陶瓷基复合材料的制备方法,其特征在于:所述C有机前驱体是酚醛树脂,呋喃树脂或者硅烷树脂。
5.根据权利要求1所述C/SiC-HfC碳纤维增强超高温陶瓷基复合材料的制备方法,其特征在于:所述的硅铪合金,铪的质量分数为30~75%,硅的质量分数为15~70%。
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