[发明专利]一种半导体产品封装工艺

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体产品封装工艺，尤其涉及一种半导体产品QFN封装工艺。

背景技术

封装工艺一种将集成电路用绝缘的塑料或陶瓷材料打包的技术，它不仅起着安放、固定、密封、保护芯片和增强导热性能的作用，而且还是沟通芯片内部世界与外部电路的桥梁：芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件建立连接。因此，对于很多集成电路产品而言，封装技术都是非常关键的一环。

封装工艺按照封装外型可分为TSSOP(Thin Small Shrink Outline Package薄小外形封装)、QFN(Quad Flat No-lead Package四方无引脚扁平封装)、QFP(Quad Flat Package四方引脚扁平式封装)、等。QFN是一种无引脚封装，呈正方形或矩形，封装底部中央位置有一个大面积裸露焊盘用来导热，围绕大焊盘的封装外围四周有实现电气连结的导电焊盘。由于体积小、重量轻、加上杰出的电性能和热性能，这种封装特别适合任何一个对尺寸、重量和性能都有的要求的应用。

半导体QFN封装工艺流程分为前制程工序和后制程工序，前制程工序依次包括研磨、贴片、焊线；后制程工序依次包括贴膜、注塑、撕膜、电镀、切割。在电镀工序前，由于撕膜后薄膜残胶，或注塑过程中树脂溢胶的存在，将影响半导体产品的导电性，不去除将造成残次品，如电性和沾锡测试失败。在电镀前的生产中对于引脚面、散热片的刮伤如不修复，将造成产品外观残次品。

在半导体封装行业中通常采用的是药水浸泡，手动擦拭，高压水清洗的方式进行引脚面的清洁；但是效果不好，对于残胶，注塑溢胶无法起到去除作用，对于引脚面刮伤无法进行修复。

鉴于上述缺陷，实有必要提出一种改进的半导体产品封装工艺。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于：提供一种半导体产品封装工艺，能够很好的对撕膜后薄膜残胶或注塑过程中树脂溢胶进行清洁处理，修复引脚面、散热片区域的刮伤，提高产品的良率，节省生产资源。

为解决上述技术问题，本发明的技术方案是：

一种半导体产品封装工艺，分为前制程工序和后制程工序，前制程工序依次包括研磨、贴片、焊线；后制程工序依次包括贴膜、注塑、撕膜、电镀、切割；在撕膜工序后，电镀工序前，还包括抛光工序：使用防静电纤维轮对半导体产品先进行粗抛，目的是去除残胶，刮伤，注塑溢胶，接着进行精抛，目的是把引脚面抛光至所需粗糙度，最后把精抛后的半导体产品进行水洗、烘干。精抛和粗抛均使用防静电纤维轮，精抛工序的防静电纤维轮的转速小于粗抛工序的转速。

更进一步，本发明所述的封装工艺，使用的防静电纤维轮为复合导电纤维轮；水洗采用蒸馏水进行；烘干的温度为80℃～120℃，烘干时间为20min～30min。

与现有技术相比，采用本发明所述的半导体产品封装工艺，对半导体产品引脚面的残胶，注塑溢胶具有很好的清洁效果；对引脚面、散热片区域的刮伤有很强的修复效果，并且工艺简单，操作方便，对不同厚度的产品可以通过调整防静电纤维轮转速进行控制，通用性强。

附图说明

图1是本发明所述的半导体产品封装工艺流程图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。

请参阅图1所示，一种符合本发明所述的半导体产品封装工艺，其过程包括，前制程工序和后制程工序，前制程工序依次为研磨、贴片、焊线；后制程工序依次包括贴膜、注塑、撕膜、电镀、切割；在撕膜后，电镀前，还包括抛光工序：使用防静电纤维轮对半导体产品先进行粗抛，接着进行精抛，把引脚面抛光至所需的粗糙度，最后把精抛后的半导体产品进行水洗、烘干。精抛和粗抛均使用防静电纤维轮，精抛工序的防静电纤维轮的转速小于粗抛工序的转速。

更进一步，本发明所述的封装工艺，使用的防静电纤维轮为复合导电纤维轮；水洗采用蒸馏水进行；烘干的温度为80℃～120℃，烘干时间为20min～30min。

本发明所述的半导体产品封装工艺，对半导体产品引脚面的残胶，注塑溢胶具有很好的清洁效果；对引脚面、散热片区域的刮伤有很强的修复效果，并且工艺简单，操作方便，对不同厚度的产品可以通过调整防静电纤维轮转速进行控制，通用性强。

本发明不局限于上述具体的实施方式，本领域的普通技术人员从上述构思出发，不经过创造性的劳动，所作出的种种变换，均落在本发明的保护范围之内。