[发明专利]太阳电池阵的电路布局结构有效
申请号: | 201410204044.6 | 申请日: | 2014-05-15 |
公开(公告)号: | CN103972314B | 公开(公告)日: | 2017-05-17 |
发明(设计)人: | 雷刚;王训春;陈萌炯;程志君;刘智;韦祎 | 申请(专利权)人: | 上海空间电源研究所 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042 |
代理公司: | 上海航天局专利中心31107 | 代理人: | 金家山 |
地址: | 200245 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳电池 电路 布局 结构 | ||
技术领域
本发明涉及航天领域电源技术,特别涉及一种太阳电池阵的电路布局结构。
背景技术
航天器绝大部分都采用太阳电池阵进行供电,太阳电池阵上的太阳电池串发出的电能通过电缆输送至航天器内部供航天器使用。传统太阳电池阵的隔离二极管集中设置在一块印制电路板上,电缆采用多股导线,电缆通过捆扎成束状后固定在基板背面,电缆的一端穿过基板上的小孔和基板正面的太阳电池串输出端相连接,另一端和太阳电池阵驱动机构相连接,隔离二极管和电缆串联。
这种太阳电池阵的电路布局结构由于受到集中布置的隔离二极管的影响,电缆往往需要经过多次弯折,增加了电缆的长度和重量。
由此,业界需要一种具有较小电缆长度和重量的太阳电池阵的电路布局。
发明内容
本发明旨在提供一种太阳电池阵的电路布局结构,解决现有技术下太阳电池阵的电缆较长、较重的问题。
为解决上述技术问题,本发明提供了一种太阳电池阵的电路布局结构,包括:所述太阳电池阵的基板的正面上沿垂直于太阳翼的展开方向设置的长条形太阳电池串,所述基板的背面沿平行于所述太阳翼的展开方向设置的电缆束,并且所述电缆束靠近所述太阳电池串正负输出端的位置,所述基板上设置的与所述电缆束串联的隔离二极管。
一些实施例中,所述电缆束由多根多股导线或扁平线芯构成,一端和太阳电池阵驱动机构直接连接或通过板间电缆和太阳电池阵驱动机构连接,另一端弯折后绕过基板边缘或穿过基板上的小孔和基板正面的太阳电池串输出端相连。
一些实施例中,所述太阳电池串由多片太阳电池和互连片串联构成,互连片的一端连接太阳电池的上电极,另一端连接太阳电池的下电极,太阳电池的串联方向为长度方向,且和太阳翼的展开方向相互垂直。
一些实施例中,所述多股导线由圆柱形的金属线芯和包覆在线芯外面的绝缘层构成。
一些实施例中,所述扁平线芯并排布置在基板的背面,扁平线芯外面设置绝缘层。
一些实施例中,所述扁平线芯的厚度不超过0.5mm。
一些实施例中,所述扁平线芯的材料为易于焊接、电阻小、质软、韧性好的金属材料。
与现有技术相比,本发明的电路布局结构,采用隔离二极管分散布置的方式,电缆束主体部分沿着太阳翼的展开方向呈直线布置,可以降低电缆的长度和重量。
结合附图,根据下文通过示例说明本发明主旨的描述可清楚本发明的其他方面和优点。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述,本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显:
图1为太阳翼的方向示意图;
图2为传统的太阳电池阵电路布局结构总体示意图;
图3为本发明的太阳电池阵电路布局结构总体示意图;
图4为本发明的太阳电池串的正面示意图;
图5为本发明的太阳电池串的剖面示意图
图6为本发明的由多股导线构成的电缆束平面示意图;
图7为本发明的由多股导线构成的电缆束截面示意图;
图8为本发明的由扁平线芯构成的电缆束平面示意图;
图9为本发明的由扁平线芯构成的电缆束截面示意图;
图10为采用本发明的实施例1的太阳电池阵电路布局结构示意图;
图11为采用本发明的实施例2的太阳电池阵电路布局结构示意图;
图12为采用本发明的实施例3的太阳电池阵电路布局结构示意图。
具体实施方式
参见示出本发明实施例的附图,下文将更详细地描述本发明。然而,本发明可以以许多不同形式实现,并且不应解释为受在此提出之实施例的限制。相反,提出这些实施例是为了达成充分及完整公开,并且使本技术领域的技术人员完全了解本发明的范围。这些附图中,为清楚起见,可能放大了层及区域的尺寸及相对尺寸。
应理解,本发明的描述/图示为单个单元的部分可存在于两个或两个以上的物理上独立但合作实现所描述/图示之功能的实体。此外,描述/图示为两个或两个以上物理上独立的部分可集成入一个单独的物理上实体以进行所描述/图示的功能。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的