[发明专利]多晶金属氧化物图形的制备方法有效
申请号: | 201410204209.X | 申请日: | 2014-05-14 |
公开(公告)号: | CN104037060B | 公开(公告)日: | 2017-06-30 |
发明(设计)人: | 李梁梁;郭总杰;郭会斌;王守坤;冯玉春;刘晓伟 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 彭瑞欣,陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多晶 金属 氧化物 图形 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及多晶金属氧化物图形的制备方法。
背景技术
氧化铟锡(ITO)薄膜因为具有良好的导电性,对可见光透明,对红外光反射性强等特性,被广泛用于平面显示技术领域。
目前主流的氧化铟锡(ITO)图案的制备,主要有成膜、曝光、刻蚀、剥离和退火等工艺过程,图1为现有技术中多晶ITO图案的制备方法的流程图,如图1所示,该制备方法包括:
步骤101:在衬底基板上沉积一层非晶ITO膜层;
图2为在衬底基板上沉积非晶ITO膜层的示意图,如图2所示,通过物理气相沉积(Physical Vapor Deposition,简称PVD)物理气相沉积在衬底基板1上形成有一层厚度均匀的非晶ITO膜层2。
步骤102:对非晶ITO膜层进行构图工艺。
图3a为在非晶ITO膜层上涂布光刻胶并进行曝光和显影后的示意图,图3b为对非晶ITO进行湿法刻蚀的示意图,图3c为光刻胶剥离后的示意图,如图3a、3b和3c所示,在步骤102中,通过构图工艺完成对非晶ITO膜层2的刻蚀,使得非晶ITO膜层2上的非晶ITO形成预定图形,然后利用剥离液使得非晶ITO上的光刻胶3剥离。
步骤103:对具有预定图形的非晶ITO膜层进行加热退火处理,使得非晶ITO转化为多晶ITO。
图4为将图3c中的非晶ITO进行加热退火处理形成多晶ITO的示意图,如图4所示,通过将图3c中的非晶ITO进行加热退火处理,使得非晶ITO图形转化为多晶ITO图形4,其中加热退火处理一般是指在200~300℃条件下加热20~30分钟,然后再冷却4~10分钟,此时非晶ITO将转化为多晶ITO。
从上述的内容可以看出,现有技术的这种多晶ITO图案的制备方法,生产工序较多,生产周期比较长,而且在构图工艺中使用的光刻胶、稀释剂、显影液、剥离液等材料都是有机材料,有一定的毒性,处理困难,同时,上述制备过程所消耗的成本较高。
发明内容
本发明提供一种多晶金属氧化物图形的制备方法,可有效的缩短生产周期,减少生产成本。
为实现上述目的,本发明提供一种多晶金属氧化物图形的制备方法,包括:
对非晶金属氧化物膜层上的预定区域进行激光退火处理,使所述预定区域内的非晶金属氧化物转化为多晶金属氧化物;
对所述预定区域外的所述非晶金属氧化物进行刻蚀处理,以去除所述预定区域外的所述非晶金属氧化物。
可选地,所述对非晶金属氧化物膜层上的预定区域进行激光退火处理的步骤包括:
激光光源照射所述非晶金属氧化物膜层上的预定区域。
可选地,所述激光光源为激光点光源,
所述激光光源照射所述非晶金属氧化物膜层上的预定区域的步骤包括:
所述激光点光源产生的激光扫过所述非晶金属氧化物膜层上的预定区域。
可选地,所述激光光源包括若干个激光点光源,
所述激光光源照射所述非晶金属氧化物膜层上的预定区域的步骤包括:
光学系统将每个所述激光点光源产生的激光进行处理,使得每个所述激光点光源投影在所述非晶金属氧化物膜层上的形成有预定形状,全部所述激光点光源投影在所述非晶金属氧化物膜层上的所构成的形状与所述预定区域的形状相同。
可选地,所述激光光源为激光线光源或激光面光源,所述激光光源与所述非晶金属氧化物膜层之间设置有掩模板;
所述激光光源照射所述非晶金属氧化物膜层上的预定区域的步骤包括:
所述激光光源在所述掩模板上相对的两侧之间作往复运动,所述激光光源产生的激光通过所述掩模板照射至所述非晶金属氧化物膜层上的预定区域。
可选地,所述往复运动采用匀速运动或步进式运动。
可选地,所述激光光源为紫外准分子激光光源。
可选地,所述刻蚀处理为湿法刻蚀。
可选地,所述对非晶金属氧化物膜层上的预定区域进行激光退火处理的步骤之前还包括:
在衬底基板上形成所述非晶金属氧化物膜层。
可选地,所述多晶金属氧化物为氧化锡、氧化铟锡、氧化铟锡锌和氧化铟镓锌中的任一种。
本发明具有以下有益效果:
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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