[发明专利]基于硅基自耦合光波导的高速高阶光微分器

权利要求书

1.一种基于硅基自耦合光波导的高速高阶光微分器，其特征在于，包括：依次连接的待处理信号发生器、硅基自耦合光波导微分器；所述的硅基自耦合光波导微分器通过多级级联的自耦合光波导实现高阶光时域微分。

2.根据权利要求1所述的高速高阶光微分器，其特征是，所述的待处理信号发生器包括：可调激光器、电信号发生器和电光调制器，其中：用来产生连续光的可调激光器的输出端口与电光调制器的输入端口相连接，用于将电信号调制到光信号上并产生待处理的高速光信号的电信号发生器的输出端口与电光调制器的射频输入端口相连接。

3.根据权利要求1所述的高速高阶光微分器，其特征是，所述的硅基自耦合光波导微分器中，每级SCOW的谐振腔内，两种模式的光以相反的方向传播，从而引起透射谱发生谐振模式分裂。

4.根据权利要求1所述的高速高阶光微分器，其特征是，所述的硅基自耦合光波导微分器的输出端设有信号观测分析系统，该信号观测分析系统包括：功率分束器、频域观测分析系统和时域观测分析系统，其中：硅基自耦合光波导微分器的输出与功率分束器的输入相连接，功率分束器的主功率输出端口与用来观察微分后波形的时域观测分析系统相连接并通过光学采样示波器显示，功率分束器的从功率输出端口与用于观测输出信号频谱的频域观测分析系统相连接并通过光谱分析仪显示。

5.根据上述任一权利要求所述的高速高阶光微分器，其特征是，所述的硅基自耦合光波导微分器的两端设有TE偏振的光栅耦合器。

6.根据上述任一权利要求所述的高速高阶光微分器，其特征是，所述的硅基自耦合光波导微分器中，用来制作微分器的绝缘体上硅结构顶硅厚度为220nm，中间为厚度2μm的二氧化硅缓冲层，波导横截面尺寸为450nm×220nm，耦合区的空气间隙为180nm。