[发明专利]钙钛矿基薄膜太阳电池及其制备方法有效
申请号: | 201410204305.4 | 申请日: | 2014-05-14 |
公开(公告)号: | CN104022226B | 公开(公告)日: | 2017-07-28 |
发明(设计)人: | 孟庆波;杨月勇;肖俊彦;卫会云;李冬梅;罗艳红;吴会觉 | 申请(专利权)人: | 中国科学院物理研究所 |
主分类号: | H01L51/46 | 分类号: | H01L51/46;H01L51/44;H01L51/48 |
代理公司: | 北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙)11391 | 代理人: | 范晓斌,郭海彬 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 钙钛矿基 薄膜 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种钙钛矿基薄膜太阳电池,包括:
透明衬底;
在所述透明衬底上形成的透明导电层;
在所述透明导电层上形成的且为半导体材料的致密层;
在所述致密层上形成的且为绝缘材料的多孔支架层,所述多孔支架层内部的孔隙中填充有钙钛矿结构的有机金属半导体吸光材料;以及
在所述多孔支架层上形成的且为非多孔形式的导电碳材料的对电极层;所述对电极层是在所述多孔支架层已填充所述有机金属半导体吸光材料之后才形成在所述多孔支架层上的,以使得所述对电极层中无明显的所述有机金属半导体吸光材料的存在。
2.根据权利要求1所述的钙钛矿基薄膜太阳电池,其特征在于,还包括加盖层,形成在所述多孔支架层与所述对电极层之间;
所述加盖层由所述有机金属半导体吸光材料形成。
3.根据权利要求2所述的钙钛矿基薄膜太阳电池,其特征在于,还包括空穴传输层,形成在所述加盖层与所述对电极层之间;和/或
引出电极,形成在所述对电极层上。
4.一种制备钙钛矿基薄膜太阳电池的方法,包括:
提供表面具有透明导电层的透明衬底;
在所述透明导电层上形成半导体材料的致密层;
在所述致密层上形成绝缘材料的多孔支架层;
将具有钙钛矿结构的有机金属半导体吸光材料填充到所述多孔支架层内部的孔隙中;以及
在填充了所述有机金属半导体吸光材料的所述多孔支架层上形成非多孔形式的导电碳材料的对电极层。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,在将所述有机金属半导体吸光材料填充到所述多孔支架层内部的孔隙中的过程中在所述多孔支架层的表面沉积形成一加盖层;所述对电极层形成在所述加盖层上。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,还包括在所述加盖层上形成空穴传输层,所述对电极层形成在所述空穴传输层上;和/或
在所述对电极层上形成引出电极。
7.根据权利要求4-6中任一项所述的方法,其特征在于,
将所述导电碳材料和粘结剂加入分散剂中形成均匀分散的对电极浆料,将所述对电极浆料涂覆在所述多孔支架层上,经干燥形成所述对电极层,
其中,所述分散剂为非极性有机溶剂。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述非极性有机溶剂选自苯、甲苯、氯苯、四氯化碳、乙酸乙酯、石油醚、高级脂肪烃、高碳醇中的一种或多种;所述粘结剂为能溶于所述分散剂的高分子材料。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,
采用选自搅拌法、超声法、研磨法、球磨法中的一种或多种将所述导电碳材料和粘结剂均匀分散在所述分散剂中形成所述对电极浆料;和/或
采用选自刮涂法、喷涂法、丝网印刷法、挤涂法中的一种将所述对电极浆料涂覆在所述多孔支架层上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择