[发明专利]扩张均匀性高的扩晶机

权利要求书

1.一种扩晶机，包括：框架结构、顶膜结构、压膜结构、压环结构；所述顶膜结构沿竖直方向往返运动，扩张放置在其上的十字形蓝膜；所述压膜结构设置在所述框架结构上方，压紧和放松十字形蓝膜；所述压环结构设置在所述顶膜结构的上方，所述压环结构下降，使得扩张后的十字形蓝膜保持扩张状态；其特征在于，所述顶膜结构，使得十字形蓝膜沿晶元上的芯片切割道方向扩张。

2.根据权利要求1的扩晶机，其特征在于，所述顶膜结构的顶端的表面是蓝膜接触面，十字形蓝膜放置在所述蓝膜接触面上，所述蓝膜接触面的外周的俯视形状为正方形或矩形，使得十字形蓝膜沿晶元上的芯片切割道方向扩张。

3.根据权利要求2的扩晶机，其特征在于，所述顶膜结构包括第一主体和第二主体；所述第一主体设置在所述第二主体上方；所述第一主体的顶端是蓝膜接触面，所述蓝膜接触面的外周的俯视形状为正方形或矩形。

4.根据权利要求1的扩晶机，其特征在于，所述顶膜结构的顶端形成凸台和扩晶环支持面，放在所述扩晶环支持面上的内扩晶环的顶端的外周的俯视形状为正方形或矩形，使得十字形蓝膜沿晶元上的芯片切割道方向扩张。

5.根据权利要求4的扩晶机，其特征在于，所述顶膜结构包括第一主体和第二主体；所述第一主体设置在所述第二主体上方；所述第一主体的顶端形成凸台和扩晶环支持面。

6.根据权利要求1的扩晶机，其特征在于，所述顶膜结构的顶端的表面是蓝膜接触面；所述顶膜结构的顶端形成扩晶环槽；所述扩晶环槽的宽度等于或大于内扩晶环的厚度和外扩晶环的厚度之和，所述扩晶环槽的深度等于或大于内扩晶环或外扩晶环的宽度；所述扩晶环槽把所述蓝膜接触面分成2部分：内蓝膜接触面和外蓝膜接触面；所述外蓝膜接触面的外周的俯视形状为正方形或矩形，使得十字形蓝膜沿晶元上的芯片切割道方向扩张。

7.根据权利要求6的扩晶机，其特征在于，所述顶膜结构包括第一主体和第二主体；所述第一主体设置在所述第二主体上方；所述第一主体的顶端形成扩晶环槽；所述扩晶环槽把所述蓝膜接触面分成2部分：内蓝膜接触面和外蓝膜接触面；所述外蓝膜接触面的外周的俯视形状为正方形或矩形。

8.一种扩晶机，其特征在于，所述扩晶机包括：框架结构、顶膜结构、压膜结构、压环结构、附件；所述附件设置在所述顶膜结构的顶端的外周，所述附件的顶端的表面与所述顶膜结构的顶端的表面在同一平面，所述顶膜结构及附件沿竖直方向往返运动；所述压膜结构设置在所述框架结构上方，压紧和放松十字形蓝膜；所述压环结构设置在所述顶膜结构的上方，扩张后，所述压环结构下降，使得扩张后的十字形蓝膜保持扩张状态；所述附件的顶端的表面是蓝膜接触面，使得十字形蓝膜沿晶元的芯片切割道方向扩张。

9.根据权利要求8的扩晶机，其特征在于，所述附件的顶端的表面的蓝膜接触面的外周的俯视形状为正方形或矩形，使得十字形蓝膜沿晶元的芯片切割道方向扩张。

10.根据权利要求8的扩晶机，其特征在于，所述顶膜结构的顶端形成凸台和扩晶环支持面；所述扩晶环支持面的宽度等于或大于内扩晶环的厚度和外扩晶环的厚度之和，所述凸台的高度等于或大于内扩晶环或外扩晶环的宽度。

11.根据权利要求8的扩晶机，其特征在于，所述顶膜结构的顶端形成扩晶环槽；所述扩晶环槽的宽度等于或大于内扩晶环的厚度和外扩晶环的厚度之和，所述扩晶环槽的深度等于或大于内扩晶环的宽度；所述扩晶环槽把所述蓝膜接触面分成2部分：内蓝膜接触面和外蓝膜接触面。

12.根据权利要求8的扩晶机，其特征在于，在所述附件的靠近所述附件的通孔的位置处形成附件上的内扩晶环支持面；所述附件上的内扩晶环支持面的宽度等于或大于内扩晶环的厚度和外扩晶环的厚度之和，所述附件上的内扩晶环支持面的深度等于或者大于内扩晶环的宽度。

13.根据权利要求8的扩晶机，其特征在于，所述附件的顶端形成附件上的扩晶环槽，所述附件上的扩晶环槽的宽度等于或大于内扩晶环的厚度和外扩晶环的厚度之和，所述附件上的扩晶环槽的深度等于或者大于内扩晶环的宽度。