[发明专利]布线结构以及具备布线结构的显示装置

权利要求书

1.一种布线结构，其在基板上从基板侧起依次具备布线膜和薄膜晶体管的半导体层，该布线结构的特征在于，

上述半导体层由氧化物半导体构成，

在一部分的上述布线膜与基板之间具备绝缘膜，

上述布线膜是Cu合金膜，

上述布线膜具有包含第一层(Y)和第二层(X)的叠层结构，其中上述第一层(Y)，由包含总计2～20原子％的从由Zn、Ni、Ti、Al、Mg、Ca、W、Nb以及Mn组成的群中选择的至少1种元素的Cu合金构成；

上述第二层(X)由纯Cu或者以Cu为主要成分的Cu合金构成，其电阻率比上述第一层(Y)更低，

上述布线膜的第一层(Y)与上述基板及上述绝缘膜中的至少一个直接连接，

一部分的上述布线膜的第二层(X)与上述半导体层直接连接。

2.根据权利要求1所述的布线结构，其特征在于，

上述布线膜，在与上述半导体层直接连接的同一平面上、且与构成像素电极的透明导电膜直接连接。

3.根据权利要求1所述的布线结构，其特征在于，

上述第一层(Y)的膜厚为10nm以上、100nm以下，且相对于Cu合金膜整体膜厚为60％以下。

4.根据权利要求1所述的布线结构，其特征在于，

一部分Mn在上述基板及上述绝缘膜中的至少一个与上述布线膜之间的界面，发生了析出以及/或者浓化。

5.根据权利要求1所述的布线结构，其特征在于，

上述布线膜的第二层(X)是含有从由Mn、Ni、Zn、Al、Ti、Mg、Ca、W、以及Nb组成的群中选择的至少1种元素的Cu合金膜，

上述布线膜与上述基板及上述绝缘膜直接连接，或者与上述绝缘膜及上述半导体层直接连接。

6.根据权利要求5所述的布线结构，其特征在于，

上述布线膜的第二层(X)的Cu合金膜含有0.5～10原子％的从由Mn、Ni、Zn、A1、Ti、Mg、Ca、W、以及Nb组成的群中选择的至少1种元素。

7.根据权利要求5所述的布线结构，其特征在于，

上述布线膜的第二层(X)的Cu合金膜至少含有0.5原子％以上的Mn，且含有0.3原子％以上的从由B、Ag、C、W、Ca、以及Mg组成的群中选择的至少1种元素。

8.根据权利要求5所述的布线结构，其特征在于，

一部分Mn在上述基板及上述绝缘膜中的至少一个与上述布线膜之间的界面，发生了析出以及/或者浓化。

9.根据权利要求1所述的布线结构，其特征在于，

上述氧化物半导体由含有从由In、Ga、Zn、Ti、以及Sn组成的群中选择的至少1种元素的氧化物构成。

10.一种显示装置，其特征在于，具备权利要求1所述的布线结构。