[发明专利]一种体硅谐振式压力传感器的圆片级真空封装方法

权利要求书

1.一种体硅谐振式压力传感器的圆片级真空封装方法，其步骤包括：

1)根据体硅谐振式压力传感器的结构选取SOI硅片和用于进行阳极键合的玻璃片；

2)对SOI硅片的器件层进行台阶刻蚀，形成器件结构；

3)去除SOI硅片的部分埋氧层，释放器件结构；

4)将SOI硅片和玻璃片进行真空阳极键合；

5)对硅片进行减薄，剩余厚度与器件设计尺寸相吻合；

6)通过光刻定义引线窗口，然后刻蚀硅，露出埋氧层；

7)去除引线窗口内的埋氧层；

8)在硅片表面淀积二氧化硅，形成电学隔离；

9)对淀积的二氧化硅进行刻蚀，形成pad孔；

10)淀积金属pad。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤1)所述SOI硅片为器件层重掺杂的SOI硅片。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤3)和步骤7)采用湿法腐蚀或者干法刻蚀的方法去除所述埋氧层。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于：采用氢氟酸溶液进行所述湿法腐蚀，采用等离子体刻蚀或者气态HF进行所述干法刻蚀。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤5)利用KOH溶液或者TMAH对硅片进行减薄。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤8)采用LPCVD或者PECVD方法淀积二氧化硅。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤9)首先通过光刻形成pad孔，然后刻蚀孔内二氧化硅。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤10)利用剥离工艺形成金属pad。