[发明专利]一种短波宽带双平衡混频器

权利要求书

1.一种短波宽带双平衡混频器，其特征在于包括：RF宽带阻抗变换器(TRF)、RF宽带巴伦（BRF）、LO宽带阻抗变换器（TLO）、LO宽带巴伦、IF宽带阻抗变换器（TIF）、IF宽带巴伦（BIF）、RF/IF宽带巴伦、开关混频级电路；

RF宽带阻抗变换器(TRF)用于RF接收信号阻抗变换； 

RF宽带巴伦（BRF）用于RF接收信号非平衡-平衡转换； 

LO宽带阻抗变换器（TLO）用于LO接收信号阻抗变换；

LO宽带巴伦用于LO接收信号非平衡-平衡转换； 

IF宽带阻抗变换器（TIF）用于IF输出信号阻抗变换； 

IF宽带巴伦（BIF）用于IF接收信号非平衡-平衡转换；

RF/IF宽带巴伦用于RF/IF接收信号非平衡-平衡转换；

开关混频级电路用于对RF、LO信号做出响应，产生IF信号。

2. 根据权利要求1所述的一种短波宽带双平衡混频器，其特征在于：LO宽带巴伦包含第一LO宽带巴伦（BLO1）、第二LO宽带巴伦（BLO2）、第三LO宽带巴伦（BLO3），均采用三线传输线变压器，用于将输入的单端非平衡LO信号转换为四端平衡LO信号。

3.根据权利要求1所述的一种短波宽带双平衡混频器，其特征在于：RF/IF宽带巴伦包含第一RF/IF宽带巴伦（BRI1）、第二RF/IF宽带巴伦（BRI2）、第三RF/IF宽带巴伦（BRI3）、第四RF/IF宽带巴伦（BRI4）、第五RF/IF宽带巴伦（BRI5）、第六RF/IF宽带巴伦（BRI6），均为三线传输线变压器，用于将输入的两端平衡RF信号转换为八端平衡RF信号，将输出的八端平衡IF信号转换为两端平衡IF信号。

4.根据权利要求1所述的一种短波宽带双平衡混频器，其特征在于：开关混频级电路的NMOS管堆包含八个NMOS场效应管，分别为第一NMOS管（M1）、第二NMOS管（M2）、第三NMOS管（M3）、第四NMOS管（M4）、第五NMOS管（M5）、第六NMOS管（M6）、第七NMOS管（M7）、第八NMOS管（M8）；所述第一NMOS管（M1）栅极和第二NMOS管（M2）栅极相接，第一NMOS管（M1）源极和第二NMOS管（M2）漏极相接，第一NMOS管（M1）漏极和第二NMOS管（M2）漏极相接，第三NMOS管（M3）栅极和第四NMOS管（M4）栅极相接，第三NMOS管（M3）源极和第四NMOS管（M4）漏极相接，第三NMOS管（M3）漏极和第四NMOS管（M4）漏极相接，第五NMOS管（M5）栅极和第六NMOS管（M6）栅极相接，第五NMOS管（M5）源极和第六NMOS管（M6）漏极相接，第五NMOS管（M5）漏极和第六NMOS管（M6）漏极相接，第七NMOS管（M7）栅极和第八NMOS管（M8）栅极相接，第七NMOS管（M7）栅极和第八NMOS管（M8）漏极相接，第七NMOS管（M7）漏极和第八NMOS管（M8）漏极相接；LO信号经 LO宽带阻抗变换器（TLO）和LO宽带巴伦后转换的四端平衡LO信号分别接入第一NMOS管（M1）和第二NMOS管（M2）共栅端、第三NMOS管（M3）和第四NMOS管（M4）共栅端、第五NMOS管（M5）和第六NMOS管（M6）共栅端、第七NMOS管（M7）和第八NMOS管（M8）共栅端；RF和IF信号经 RF/IF宽带巴伦后转换的八端平衡信号分别接入第一NMOS管（M1）漏极和第二NMOS管（M2）源极公共端、第一NMOS管（M1）源极和第二NMOS管（M2）漏极公共端、第三NMOS管（M3）漏极和第四NMOS管（M4）源极公共端、第三NMOS管（M3）源极和第四NMOS管（M4）漏极公共端、第五NMOS管（M5）漏极和第六NMOS管（M6）源极公共端、第五NMOS管（M5）源极和第六NMOS管（M6）漏极公共端、第七NMOS管（M7）漏极和第八NMOS管（M8）源极公共端、第七NMOS管（M7）源极和第八NMOS管（M8）漏极公共端。

5.根据权利要求1所述的一种短波宽带双平衡混频器，其特征在于：RF宽带阻抗变换器(TRF) 采用双线传输线变压器。

6.根据权利要求1所述的一种短波宽带双平衡混频器，其特征在于：RF宽带巴伦(BRF) 采用三线传输线变压器。

7.根据权利要求1所述的一种短波宽带双平衡混频器，其特征在于：LO宽带阻抗变换器(TLO) 采用双线传输线变压器。