[发明专利]像素驱动电路及其驱动方法、像素阵列基板以及显示面板有效

专利信息
申请号: 201410205758.9 申请日: 2014-05-15
公开(公告)号: CN103956141A 公开(公告)日: 2014-07-30
发明(设计)人: 靳增建;戴超;张爽;钟本顺;林丹;贾龙 申请(专利权)人: 武汉天马微电子有限公司
主分类号: G09G3/32 分类号: G09G3/32
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 邓猛烈;路凯
地址: 430205 湖北省武汉市武*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 像素 驱动 电路 及其 方法 阵列 以及 显示 面板
【说明书】:

技术领域

发明涉及有机发光显示技术领域,尤其涉及一种像素驱动电路及其驱动方法、像素阵列基板以及显示面板。

背景技术

在显示面板的像素驱动电路中的有源矩阵有机发光二极管(Active Matrix Organic Light Emitting Diode,简称AMOLED)能够发光是由作为驱动管的薄膜晶体管(Thin Film Transistor,简称TFT)在饱和状态时产生的驱动电流所驱动的,因此,驱动管产生的驱动电流不同,会对有机发光二极管的显示效果产生影响。

图1是现有技术的像素驱动电路的结构示意图。参见图1,现有技术的像素驱动电路包括两个N型薄膜晶体管(M1和M2,其中,M2为驱动管)、一个电容(C0)和一个有机发光二极管(D0),并由数据线DATA、扫描线SCAN和电源线VS分别提供数据信号、扫描信号和电源信号。当有机发光二极管D0处于发光阶段时,驱动管M2处于饱和状态,其产生的驱动电流Im可以表达为:

Im=K(VDATA-Vthm)2

在上式中,K为与驱动管M2有关的常数因子,VDATA为数据信号的电压值,Vthm为驱动管M2的阈值电压。通过上述驱动电流Im的表达式可以看出,驱动电流Im与驱动管M2的阈值电压Vthm有关。如果在显示面板的各像素驱动电路中的驱动管的阈值电压不同,则各像素驱动电路中的驱动管所产生的驱动电流也不同,这样会导致显示面板的亮度均匀性较差,进而使其显示效果变差。

发明内容

有鉴于此,本发明实施例提供一种像素驱动电路及其驱动方法、像素阵列基板以及显示面板,以解决现有技术的像素驱动电路中的驱动管的驱动电流与其阈值电压有关,导致显示面板的亮度均匀性较差的技术问题。

第一方面,本发明实施例提供了一种像素驱动电路,包括:扫描线、数据线、电源线、接地极、第一信号线、第二信号线、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、驱动管、存储电容和有机发光二极管,其中,

所述第一晶体管的栅极与所述扫描线电连接,源极与所述数据线电连接,漏极与所述存储电容的第一端电连接;

所述第二晶体管的栅极与所述第一信号线电连接,源极与所述电源线电连接,漏极与所述存储电容的第一端电连接;

所述第三晶体管的栅极与所述第一信号线电连接,源极与所述存储电容的第二端电连接,漏极与所述有机发光二极管的阴极电连接;

所述第四晶体管的栅极与所述第二信号线电连接,源极与所述有机发光二极管的阳极电连接,漏极与所述电源线电连接;

所述驱动管的栅极与所述存储电容的第二端电连接,源极与所述接地极电连接,漏极与所述有机发光二极管的阴极电连接。

第二方面,本发明实施例还提供了一种像素驱动电路的驱动方法,其中,所述像素驱动电路为上述第一方面所述的像素驱动电路,所述驱动方法包括:

S11、分别施加一高电压的扫描信号至扫描线、一高电压的第一信号至第一信号线和一高电压的第二信号至第二信号线,导通第一晶体管、第三晶体管和第四晶体管并关断第二晶体管,施加一数据信号至数据线,使得存储电容充电;

S12、保持所述扫描信号和所述第一信号不变并施加一低电压的第二信号至所述第二信号线,关断所述第四晶体管,使得所述存储电容放电并使其第二端的电压降至驱动管的阈值电压;

S13、分别施加一低电压的扫描信号至所述扫描线和一低电压的第一信号至所述第一信号线,导通所述第二晶体管并关断所述第一晶体管和第三晶体管,施加一高电压的第二信号至所述第二信号线,导通所述第四晶体管,利用存储在所述存储电容的电压使得所述驱动管达到饱和状态并驱动有机发光二极管发光。

第三方面,本发明实施例还提供一种像素驱动电路,包括:扫描线、数据线、电源线、接地极、第一信号线、第二信号线、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、驱动管、存储电容和有机发光二极管,其中,

所述第一晶体管的栅极与所述扫描线电连接,源极与所述数据线电连接,漏极与所述存储电容的第一端电连接;

所述第二晶体管的栅极与所述第一信号线电连接,源极分别与所述第三晶体管的漏极和所述第四晶体管的源极电连接,漏极与所述存储电容的第一端电连接;

所述第三晶体管的栅极与所述扫描线电连接,源极与所述存储电容的第二端电连接,漏极与所述驱动管的漏极电连接;

所述第四晶体管的栅极与所述第二信号线电连接,漏极与所述电源线电连接;

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