[发明专利]耐腐蚀性铝合金接合线有效
| 申请号： | 201410206059.6 | 申请日： | 2014-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN104164591B | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 天野裕之;中岛伸一郎;市川司;三上道孝 | 申请（专利权）人： | 田中电子工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;C22C21/00;C22F1/04 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 金龙河,穆德骏 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 腐蚀性 铝合金 接合 | ||
【权利要求书】：
1.一种高耐腐蚀性铝合金接合线，其为在纯度为99.99质量％以上的高纯度铝中含有10质量ppm以上且小于100质量ppm的铑(Rh)的铝合金接合线，其特征在于，所述铑(Rh)在铝基体中形成与铝的金属间化合物的分散相。
2.一种高耐腐蚀性铝合金接合线，其为在纯度为99.99质量％以上的高纯度铝中合计含有10质量ppm以上且小于100质量ppm的铑(Rh)和钯(Pd)的铝合金接合线，其特征在于，所述铑(Rh)和钯(Pd)在铝基体中形成与铝的金属间化合物的分散相。
3.根据权利要求1或2所述的高耐腐蚀性铝合金接合线，其特征在于，所述高纯度铝的纯度为99.998质量％以上。
4.根据权利要求1或2所述的高耐腐蚀性铝合金接合线，其特征在于，所述铝合金基体的结晶粒径为10～100μm。
5.根据权利要求1或2所述的高耐腐蚀性铝合金接合线，其特征在于，所述分散相是在连续拉丝加工后经200～300℃的热处理形成的。
6.根据权利要求1或2所述的高耐腐蚀性接合线，其特征在于，所述接合线用于超声波接合。
7.根据权利要求1或2所述的高耐腐蚀性铝合金接合线，其特征在于，所述接合线的线径为50～500μm。
8.根据权利要求1或2所述的高耐腐蚀性铝合金接合线，其特征在于，所述接合线在80～300℃或150～250℃下使用。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
