[发明专利]半导体器件、互连层和互连层的制作方法有效
| 申请号： | 201410206393.1 | 申请日： | 2014-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN105097658B | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 邓浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 互连层 介电层 金属层 金属盖层 半导体器件 填充介电层 制作 填充 介电层表面 漏电 导电通路 有效地 衬底 半导体 申请 | ||
1.一种互连层的制作方法，其特征在于，包括：
在半导体衬底上形成具有凹槽的介电层；
在所述凹槽内形成金属层；
填充所述介电层的表面中的孔隙；
在所述介电层的表面及所述金属层的表面上形成金属盖层；
其中，使二烯烃与所述介电层的表面进行接触处理以填充所述介电层的表面中的孔隙。
2.根据权利要求1所述的互连层的制作方法，其特征在于，所述二烯烃为1，3-环己二烯或二环庚二烯。
3.根据权利要求2所述的互连层的制作方法，其特征在于，所述接触处理包括：
采用旋涂、喷涂或浸泡的方式使所述二烯烃与所述介电层的表面接触；
加热所述二烯烃以使得所述二烯烃与所述介电层的表面的材料发生交联反应。
4.根据权利要求1所述的互连层的制作方法，其特征在于，形成所述金属层的步骤包括：
在所述凹槽内以及所述介电层的表面上形成金属预备层；
对所述金属预备层进行化学机械抛光以形成所述金属层。
5.根据权利要求4所述的互连层的制作方法，其特征在于，在形成所述金属层之后，所述制作方法还包括：
采用硅氧烷对所述介电层的表面进行处理。
6.根据权利要求5所述的互连层的制作方法，其特征在于，所述硅氧烷为八甲基环四硅氧烷或四甲基环四硅氧烷。
7.根据权利要求1所述的互连层的制作方法，其特征在于，在使二烯烃与所述介电层的表面进行接触处理后，所述制作方法还包括：
对所述介电层进行等离子体处理。
8.根据权利要求7所述的互连层的制作方法，其特征在于，所述等离子体为氦等离子体。
9.根据权利要求1所述的互连层的制作方法，其特征在于，在形成所述金属盖层的步骤之后，所述制作方法还包括：
对所述介电层的表面进行紫外光照射处理以去除所述介电层的表面中的二烯烃。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的互连层的制作方法，其特征在于，所述介电层的材料选自氟硅玻璃、磷硅玻璃或硼硅玻璃中的任一种或多种。
11.根据权利要求1至9中任一项所述的互连层的制作方法，其特征在于，所述金属盖层的材料选自钴或钌中的一种。
12.根据权利要求1至9中任一项所述的互连层的制作方法，其特征在于，所述金属层的材料为铜。
13.一种互连层，其特征在于，所述互连层由权利要求1至12中的任一项所述的互连层的制作方法制成。
14.一种半导体器件，包括至少一层互连层，其特征在于，所述互连层由权利要求1至12中的任一项所述的互连层的制作方法制成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
