[发明专利]基于压控感性负载的可变增益放大器

权利要求书

1.基于压控感性负载的可变增益放大器，其特征在于，包括：

全差分跨导放大器G_m，其正相电压输入端V_in1和负相电压输入端V_in2共同接收输入的电压信号，经全差分跨导放大器G_m进行放大并转化为电流信号，从其负相输出端V_out2与正相输出端V_out1输出；

两个压控有源电感L₁、L₂，分别连接全差分跨导放大器G_m的负相输出端V_out2与正相输出端V_out1，由控制电压V_C对两个压控有源电感L₁、L₂的阻抗进行调整，改变负相输出端V_out2与正相输出端V_out1处的电压信号的幅度值。

2.根据权利要求1所述的基于压控感性负载的可变增益放大器，其特征在于：所述两个压控有源电感L₁、L₂由同时由控制电压V_c进行控制。

3.根据权利要求1所述的基于压控感性负载的可变增益放大器，其特征在于：流经压控有源电感L₁的电流信号在负相输出端V_out2处产生与输入信号相位相反的输出电压信号，流经压控有源电感L₂的电流信号在正相输出端V_out1处产生与输入信号相位相同的输出电压信号。

4.根据权利要求1所述的基于压控感性负载的可变增益放大器，其特征在于：所述全差分跨导放大器G_m由两个NPN结构的SiGe异质结双极型晶体管Q₁、Q₂和一个输出恒定电流的偏置电流源I_bias构成，所述双极型晶体管Q₁和Q₂的基极分别与全差分跨导放大器G_m的正相电压输入端V_in1和负相电压输入端V_in2相连，双极型晶体管Q₁和Q₂的发射极均与偏置电流源I_bias的一端相连，偏置电流源I_bias的另一端与电源地相连；双极型晶体管Q₁和Q₂的集电极分别连接到负相电流输出端I_out1和正相电流输出端I_out2。

5.根据权利要求2所述的基于压控感性负载的可变增益放大器，其特征在于：所述压控有源电感由一个NPN结构的SiGe异质结双极型晶体管Q₃和四个NMOS场效应晶体管M₁、M₂、M₃、M₄构成；双极型晶体管Q₃的发射极与电流信号输入端I_in连接，该管的集电极与电源V_DD连接；四个NMOS场效应晶体管M₁、M₂、M₃、M₄的栅极均连接电压控制输入端V_c，衬底端均与自身源极连接；NMOS场效应晶体管M₁的源极与双极型晶体管Q₃的基极连接，NMOS场效应晶体管M₁的漏极与NMOS场效应晶体管M₂的源极连接，NMOS场效应晶体管M₂的漏极与NMOS场效应晶体管M₃的源极连接，NMOS场效应晶体管M₃的漏极与NMOS场效应晶体管M₄的源极连接，NMOS场效应晶体管M₄的漏极连接到电源V_DD。