[发明专利]基于反向结构的半导体量子点发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种基于反向结构的半导体量子点发光二极管，其特征在于：所述半导体量子点发光二极管中衬底(1)、透明导电金属氧化物电极层(2)、电子注入层(3)、量子点发光层(4)、空穴注入层(5)和对电极层(6)顺次相连；所述电子注入层(3)的材质为乙酰丙酮钛膜材料。

2.根据权利要求1所述的反向结构半导体量子点发光二极管器件，其特征为：所述衬底(1)的材质为玻璃或聚酯薄膜材料。

3.根据权利要求1所述的反向结构半导体量子点发光二极管器件，其特征为：所述透明导电金属氧化物电极层(2)的材质为In、Sn、Zn和Cd中的一种或多种的氧化物材料。

4.根据权利要求1所述的反向结构半导体量子点发光二极管器件，其特征为：所述乙酰丙酮钛膜的厚度为

5.根据权利要求1所述的反向结构半导体量子点发光二极管器件，其特征为：所述空穴注入层(5)的材质为PEDOT:PSS或Mo、V、W和Ni中的一种或多种的氧化物材料。

6.根据权利要求1所述的反向结构半导体量子点发光二极管器件，其特征为：所述对电极层(6)的材质为Al、Ag、Au或其复合电极材料。

7.如权利要求1～6任意一项权利要求所述的一种基于反向结构的半导体量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，该方法采用全溶液加工，具体步骤如下：

(a)在衬底(1)上制备透明导电金属氧化物电极层(2)；

(b)将乙酰丙酮钛与溶剂混合形成混合溶液，在透明导电金属氧化物电极层(2)上旋涂所述混合溶液，经烘烤，得到电子注入层(3)；

(c)在电子注入层(3)上依次制备量子点发光层(4)、空穴注入层(5)和对电极层(6)，得到所述基于反向结构的半导体量子点发光二极管。

8.根据权利要求7所述的一种基于反向结构的半导体量子点发光二极管的制备方法，其特征在于：步骤(b)中所述溶剂为异丙醇、异辛醇、乙醇、乙酸乙酯和石油醚中的一种或多种。

9.根据权利要求7所述的一种基于反向结构的半导体量子点发光二极管的制备方法，其特征在于：步骤(b)中所述混合溶液中乙酰丙酮钛的浓度为2mg/mL～100mg/mL。

10.根据权利要求7所述的一种基于反向结构的半导体量子点发光二极管的制备方法，其特征在于：步骤(b)中所述混合溶液的旋涂转速为800rpm～5000rpm，烘烤的温度为20℃～250℃，烘烤时间为1分钟～48小时。