[发明专利]面板驱动电路及面板驱动方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种面板驱动电路及面板驱动方法。

背景技术

作为新一代显示技术，AMOLED(Active Matrix/Organic Light Emitting Diode，有源矩阵有机发光二极体面板)具有亮度高、色域广、视角宽、响应快、体积小等优点。通常，采用LTPS(Low Temperature Poly-silicon，低温多晶硅)技术制造AMOLED驱动电路。AMOLED的发光器件为OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)，在AMOLED驱动电路的驱动下，当有电流流过发光器件OLED时，OLED发光。

目前，AMOLED驱动电路通常采用传统的2T1C电路，请参阅图1，为传统的AMOLED面板驱动电路2T1C。包括：扫描控制晶体管(T1’)、驱动晶体管(T2’)、存储电容(C1’)、及有机发光二极管(OLED’)；还包括扫描控制端(Scan n’)、数据信号端(Data n’)、及电源电压输入端(Vdd’)；所述扫描控制晶体管(T1’)包括第一栅极(g1’)、第一源极(s1’)、及第一漏极(d1’)，所述驱动晶体管(T2’)包括第二栅极(g2’)、第二源极(s2’)、及第二漏极(d2’)；所述第一栅极(g1’)电性连接于扫描控制端(Scan n’)，所述第一源极(s1’)电性连接于数据信号端(Data n’)，所述第一漏极(d1’)电性连接于第二栅极(g2’)与存储电容(C1’)的上极板；所述存储电容(C1’)的下极板接地(GND’)；所述有机发光二极管(OLED’)的阳极电性连接于电源电压输入端(Vdd’)，有机发光二极管(OLED’)的阴极电性连接于第二源极(s2’)；所述第二漏极(d2’)接地(GND’)。所述驱动晶体管(T2’)用于确定AMOLED面板驱动电路的驱动电流，所述有机发光二极管(OLED’)用于响应驱动电流而发光显示；所述存储电容(C1’)主要是存储数据信号端(Data n’)输出的灰阶(Gray Scale)电压信号，所述驱动晶体管(T2’)的驱动电流大小由存储电容(C1’)中存储的灰阶电压大小决定，AMOLED的亮度取决于所述驱动晶体管(T2’)的驱动电流大小；所述扫描控制晶体管(T1’)与驱动晶体管(T2’)均为薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)。

但是，一方面由于驱动晶体管(T2’)的阈值电压会随着工作时间而漂移，从而导致有机发光二极管(OLED’)的发光不稳定；另一方面由于扫描控制晶体管(T1’)的泄漏电流的存在，使得存储电容(C1’)的电压不稳定，从而也导致了有机发光二极管(OLED’)的发光不稳定。而且，由于各个像素的驱动晶体管(T2’)的阈值电压的漂移不同，增大或减小，使得各个像素间的发光不均匀。因此，传统的两个晶体管一个电容2T1C的像素驱动电路已经不适合高质量的AMOLED的显示。

AMOLED不同于TFT-LCD(Thin Film Transistor LCD，薄膜晶体管有源矩阵液晶显示器)之处在于两点：第一点是TFT-LCD为被动发光，主要是靠调节背光亮度来显示画面，而AMOLED为主动发光；第二点是TFT-LCD为电压驱动，而AMOLED为电流驱动，因此，AMOLED对TFT的稳定性要求更高。

目前，由于LTPS技术尚不够成熟，通过LTPS技术制造出的TFT的阈值电压Vth均匀性很差，并且存在漂移，导致流经OLED驱动电流的不均匀，从而降低了AMOLED亮度的均匀性。由于AMOLED属于电流驱动，OLED的亮度由电流大小决定，电流越大亮度越高，但一直处于高亮度工作模式下，其寿命会大大降低。另外，AMOLED背板的良率仍然很低，OLED发光材料的寿命和色彩稳定度也不理想，因此，AMOLED的量产性尚不够高。

发明内容

本发明的目的在于提供一种面板驱动电路和面板驱动方法，可以降低AMOLED的驱动功耗，延长AMOLED的使用寿命，并增强显示画面质量。