[发明专利]固态成像装置和电子设备有效
申请号: | 201410208812.5 | 申请日: | 2014-05-16 |
公开(公告)号: | CN104183611B | 公开(公告)日: | 2019-05-10 |
发明(设计)人: | 冈崎裕美 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 曹正建;陈桂香 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 成像 装置 电子设备 | ||
1.一种成像装置,其包括:
半导体基板,具有作为光入射面的第一表面和与所述第一表面相反的第二表面;
多个光电转换单元,被布置于所述半导体基板中;
沟槽区域,包括被布置于所述半导体基板中的第一沟槽区域和第二沟槽区域,所述第一沟槽区域被布置于所述多个光电转换单元的两个光电转换单元之间,且所述第二沟槽区域被布置成与所述多个光电转换单元的至少一者相邻;
金属区域,包括第一金属区域和第二金属区域,所述金属区域被布置为与所述第一表面相邻,其中,所述第一金属区域覆盖所述第一沟槽区域的至少一部分且所述第二金属区域覆盖所述第二沟槽区域的至少一部分;
滤色器,包括设置在所述第一表面的上侧的第一滤色器和第二滤色器,其中,所述第一滤色器覆盖所述第一金属区域的至少一部分且所述第二滤色器覆盖所述第二金属区域的至少一部分;
第一开口,与所述第一滤色器相对应;
第二开口,与所述第二滤色器相对应;
遮光膜,包括所述第一金属区域和所述第二金属区域,所述遮光膜具有开口,所述开口包括所述第一开口和所述第二开口,
其中,所述第一沟槽区域沿着水平方向在第一方向上从所述第一金属区域偏移,且
其中,所述第二沟槽区域沿着所述水平方向在与所述第一方向相反的第二方向上从所述第二金属区域偏移,
其中,所述第一开口的尺寸与所述第二开口的尺寸基本相同,且
其中,所述第一滤色器的颜色与所述第二滤色器的颜色不同。
2.根据权利要求1所述的成像装置,其中,所述第一金属区域在取决于像素中接收到的光的波长的方向上从所述像素的像素边界偏移。
3.根据权利要求1所述的成像装置,
其中,所述遮光膜被设置在所述第一表面的上侧,且所述遮光膜被构图形成为具有以像素边界作为所述遮光膜的中心的线宽。
4.根据权利要求1所述的成像装置,还包括:绝缘层,所述绝缘膜被包含于所述沟槽区域中,其中,所述绝缘层包括金属氧化物。
5.根据权利要求1所述的成像装置,其中,各颜色的滤色器被设置在所述第一表面的上侧,所述滤色器被构图形成为每一个所述滤色器的的中心对应于相应的每一个像素的中心。
6.根据权利要求1所述的成像装置,还包括:
片上透镜,所述片上透镜设置在所述第一表面的上侧,所述片上透镜被构图形成为所述片上透镜的中心对应于相应的像素的中心。
7.根据权利要求4所述的成像装置,其中,在所述第一沟槽区域的中心埋入有遮光膜。
8.根据权利要求3所述的成像装置,其中,所述遮光膜是包括钨、铝、氮化钛和钛中的至少一者的金属材料。
9.根据权利要求1所述的成像装置,其中,所述第一沟槽区域被形成为具有阶梯形式的线宽,所述线宽在所述光入射面侧增大。
10.根据权利要求9所述的成像装置,其中,所述第一沟槽区域的位于所述光入射面侧的至少一部分是从像素边界偏移的。
11.根据权利要求4所述的成像装置,其中,所述绝缘层包括硅氧化物或硅氮化物。
12.根据权利要求1所述的成像装置,其中,所述半导体基板包括分割区域,所述分割区域包括位于像素边界处的杂质区域,所述分割区域从与所述光入射面相反的表面延伸至所述第一沟槽区域。
13.根据权利要求1所述的成像装置,其中,所述第一沟槽区域、所述遮光膜和片上透镜是相对于多个像素中的至少一个像素而被确定位置的,以将灵敏度入射角布置为使所述成像装置免于着色。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的