[发明专利]铟互连机构及其制备方法、焦平面装置及其封装方法

权利要求书

1.一种铟互连机构，用于焦平面器件的封装，其特征在于，包括一绝缘基板，所述绝缘基板上设置有通孔，所述通孔中填充有一铟柱，所述铟柱延伸出所述通孔的两端，在所述铟柱的两端分别形成焊球。

2.根据权利要求1所述的铟互连机构，其特征在于，所述绝缘基板的材料为高阻硅、Al₂O₃或AlN。

3.根据权利要求1所述的铟互连机构，其特征在于，所述通孔的壁上设置有一金属层。

4.根据权利要求3所述的铟互连机构，其特征在于，所述金属层包括粘附层和导电层，其材料为Ti/Au或Ni/Au。

5.根据权利要求3所述的铟互连机构，其特征在于，所述金属层的厚度为200～300nm。

6.权利要求1-5所述的铟互连机构的制备方法，其特征在于，包括步骤：

(1)、提供一绝缘基板并在所述绝缘基板上开设多个盲孔；

(2)、在所述盲孔的壁上制备金属层；

(3)、在所述盲孔中填充铟形成铟柱；

(4)、减薄所述绝缘基板，使所述盲孔形成通孔，并使所述铟柱的两端延伸出所述通孔的两端；

(5)、应用回流工艺使所述铟柱的两端分别形成焊球，获得所述铟互连机构。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中采用刻蚀工艺在所述绝缘基板上开设多个盲孔。

8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中采用溅射工艺制备所述金属层；具体包括：首先采用溅射工艺在所述盲孔的壁上制备Ti或Ni粘附层，然后在所述粘附层上制备Au导电层。

9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)中采用电镀工艺在所述盲孔中填充铟。

10.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤(4)具体包括：首先采用抛光工艺减薄所述绝缘基板，使所述盲孔形成通孔，露出所述铟柱的两端；然后再采用刻蚀工艺进一步减薄所述绝缘基板，使所述铟柱的两端延伸出所述通孔的两端。

11.一种焦平面装置，包括焦平面器件以及读出电路，其特征在于，还包括如权利要求1-5所述的铟互连机构；所述焦平面器件和读出电路通过所述铟互连机构连接。

12.权利要求11所述的焦平面装置的封装方法，其特征在于，采用如权利要求1-5所述的铟互连机构，首先将焦平面器件连接到所述铟柱的一端的焊球，然后将读出电路连接到所述铟柱的另一端的焊球，实现焦平面器件与读出电路的连接。

13.如权利要求12所述的封装方法，其特征在于，所述焦平面器件与所述铟互连机构之间的空隙以及所述读出电路与所述铟互连机构之间的空隙分别采用底封胶填充。