[发明专利]薄膜晶体管、显示单元、以及电子设备

说明书

本公开提供了一种薄膜晶体管，该膜晶体管包括：基底；在基底上形成的第一隔离膜；在第一隔离膜上的选择区中形成的第二隔离膜，具有针对氢的阻隔性质；氧化物半导体层，包括在第二隔离膜上形成的第一部分以及在第一隔离膜上形成的第二部分，其中第一部分作为活性层，以及第二部分具有比第一部分更低的电阻；栅电极，在氧化物半导体层的第一部分上形成并在栅电极与该第一部分之间具有栅极绝缘膜；以及源电极或者漏电极，电连接到氧化物半导体层的第二部分。第一隔离膜具有针对来自基底的杂质的阻隔性质，以及化学的减少氧化物半导体层的特性。

相关申请的交叉参考

本申请已于2013年5月24日申请日本优先权专利申请JP2013-109773，其全部内容通过引用结合于此。

技术领域

本公开涉及一种薄膜晶体管(TFT)，例如，使用氧化物半导体的膜晶体管、以及使用TFT的显示单元和电子设备。

背景技术

本公开涉及一种膜晶体管(TFT)，例如使用氧化物半导体的膜晶体管、以及使用TFT的显示单元和电子设备。

氧化锌、包含氧和铟的氧化物、以及其它的氧化物展现优良半导体(活化层)特性。为了将这些氧化物应用到例如薄膜晶体管(TFT)、发光器件、以及透明导电膜的电子器件，因此加速了氧化物的研究和发展。已知当该氧化物被施加到TFT的活性层(沟道)时，与由非晶硅制成的TFT相比，所述TFT展现较大的电子迁移率以及优越的电特性。此外，即使例如在大约为室温的低温条件下形成的时候，由氧化物制成的TFT具有较大的电子迁移率的潜能。

当半导体器件在例如由硅(Si)或者玻璃制成的基底上形成时，氮化硅膜或者氧化硅膜用作为阻挡来自基底的杂质(例如碱离子)对半导体器件的侵入的隔离膜。例如，日本未经审查专利申请公开第2012-164873描述的TFT，其中氧化物半导体在基底的表面形成，并在氧化物半导体与基地表面之间具有隔离膜。

发明内容

如上所述，由氧化物半导体制成的TFT被要求确保隔离性能并且展现优良的晶体管特性。

希望提供能够达到优良的晶体管特性的薄膜晶体管、显示单元、以及电子设备。

根据本公开的实施方式的薄膜晶体管包括：基底；在基底上形成的第一隔离膜；在第一隔离膜上的选择区中形成的第二隔离膜，其具有针对氢的不透气性；氧化物半导体层，包括在第二隔离膜上形成的第一部分以及在第一隔离膜上形成的第二部分，在其中，第一部分作为活性层，以及第二部分的电阻低于第一部分；栅电极，在氧化物半导体层的第一部分上形成，在栅电极与该第一部分之间具有栅极绝缘膜；以及源电极或者漏电极，电连接到氧化物半导体层的第二部分。第一隔离膜具有针对来自基底的杂质的阻隔性质，以及化学还原氧化物半导体层的特性。

根据本公开的实施方式配有多个像素的显示单元。每一个像素配有薄膜晶体管。每一个薄膜晶体管包括：基底；在所述基底上形成的第一隔离膜；在第一隔离膜上的选择区中形成的第二隔离膜，具有针对氢的阻隔性质；氧化物半导体层，包括在第二隔离膜上形成的第一部分以及在第一隔离膜上形成的第二部分，在其中，第一部分作为活性层以及第二部分具有比第一部分更低的电阻；栅电极，在氧化物半导体层的第一部分上形成，并且在栅电极与该第一部分之间具有栅极绝缘膜；以及源电极或者漏电极，电连接到氧化物半导体层的第二部分。第一隔离膜具有针对来自基底的杂质的阻隔性质，以及化学还原氧化物半导体层的特性。