[发明专利]输出缓冲器有效

专利信息
申请号: 201410209889.4 申请日: 2014-05-19
公开(公告)号: CN105099432B 公开(公告)日: 2019-04-30
发明(设计)人: 王家辉;黄宏裕;徐传健 申请(专利权)人: 奇景光电股份有限公司
主分类号: H03K19/0175 分类号: H03K19/0175;G09G3/36
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 史新宏
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 输出 缓冲器
【权利要求书】:

1.一种输出缓冲器,包含:

一放大级电路,接收模拟显示电压以产生放大显示电压;

一驱动级电路,接收该放大显示电压以产生缓冲显示电压,用以驱动一显示面板;及

一切换器,设于该放大级电路与该驱动级电路之间,当处于高输出阻抗状态时,该切换器为断开,使得该驱动级电路与该放大级电路彼此电性分离,当处于驱动状态时,该切换器为闭合,使得该驱动级电路与该放大级电路彼此电性耦合;

其中,该放大级电路包含一第一晶体管和一第二晶体管,该驱动级电路包含一第三晶体管和一第四晶体管,该第一晶体管与该第二晶体管连接于中间节点,该第三晶体管与该第四晶体管连接于输出节点,该切换器包含一第一选择器和一第二选择器以及连接于该中间节点与该输出节点之间的一第一开关,当处于驱动状态时,该第三晶体管的门极经由该第一选择器耦接至该第一晶体管的门极,该第四晶体管的门极经由该第二选择器耦接至该第二晶体管的门极,该第一开关闭合,驱动电流不经过该第一开关。

2.根据权利要求1所述的输出缓冲器,其中该放大级电路还包含一差动运算放大器,其中一输入端接收该模拟显示电压;

其中该第一晶体管与该第二晶体管串接于电源与地之间,该中间节点耦接至该差动运算放大器的另一输入端。

3.根据权利要求2所述的输出缓冲器,其中该第一晶体管为P型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管,该第二晶体管为N型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管,该第一晶体管与该第二晶体管的漏极连接于该中间节点,并耦接至该差动运算放大器的负输入端,该差动运算放大器的正输入端接收该模拟显示电压,且该第一晶体管与该第二晶体管的门极分别耦接至该差动运算放大器的正、负输出端。

4.根据权利要求2所述的输出缓冲器,其中该放大级电路更包含:

一第一电容器,耦接于该第一晶体管的门极、漏极之间;及

一第二电容器,耦接于该第二晶体管的门极、漏极之间。

5.根据权利要求2所述的输出缓冲器,其中该第三晶体管与该第四晶体管串接于电源与地之间,该输出节点用以输出该缓冲显示电压。

6.根据权利要求5所述的输出缓冲器,其中该第三晶体管为P型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管,该第四晶体管为N型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管,且该第三晶体管与该第四晶体管的漏极连接于该输出节点。

7.根据权利要求5所述的输出缓冲器,其中该切换器包含:

该第一选择器,用以选择耦接该第三晶体管至电源或该第一晶体管的其中之一;及

该第二选择器,用以选择耦接该第四晶体管至地或该第二晶体管的其中之一。

8.根据权利要求7所述的输出缓冲器,其中该第一晶体管、第三晶体管为P型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管,该第二晶体管、第四晶体管为N型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管,该第三晶体管的门极经由该第一选择器而选择耦接至该第一晶体管的门极或选择耦接至电源,且该第四晶体管的门极经由该第二选择器而选择耦接至该第二晶体管的门极或选择耦接至地。

9.根据权利要求5所述的输出缓冲器,其中该第三晶体管、第四晶体管的组件尺寸大于该第一晶体管、第二晶体管的组件尺寸。

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