[发明专利]一种具有多畴显示的液晶面板及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201410211445.4 申请日: 2014-05-19
公开(公告)号: CN103995396A 公开(公告)日: 2014-08-20
发明(设计)人: 武晓娟;王凯旋 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
主分类号: G02F1/1337 分类号: G02F1/1337
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 李迪
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 具有 显示 液晶面板 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种具有多畴显示的液晶面板及其制备方法,属于液晶显示技术领域。

背景技术

液晶显示器在现代生活中有着越来越广泛的应用,如手机显示屏、笔记本电脑显示屏、GPS显示屏、液晶电视显示屏等。随着科学技术的进步,传统的单畴液晶显示器由于对比度低、视角不对称、不同角度观看显示画面会出现色偏等缺点,已经不能满足人们对液晶显示器的要求。

多畴显示技术由于可以改善液晶显示器的视角不对称性、增大视角、提高对比度、改善灰阶逆转、有效改善色偏等优点,目前在显示领域中应用十分广泛。为实现液晶显示器的多畴化显示,许多专利文献对其进行了研究。

如将液晶显示器中一个像素划分为四个子像素,然后在四个子像素区域内分别进行摩擦取向使液晶分子形成不同的初始排列,在施加电压过程中形成多畴态,实现多畴显示。或在像素电极下方制作数条凸起物,使特殊形状的像素电极与上玻璃基板的公共电极之间形成斜向电场,液晶分子沿着电场方向排列形成多畴态,实现多畴液晶显示。另外,还可通过构造多畴化的像素电极,实现多畴显示,但所使用的多畴薄膜液晶显示装置的制造工艺复杂,工艺成本高,难度大。而传统的通过摩擦取向在一个像素中形成不同的液晶分子初始排列实现多畴显示的方法,制备过程复杂,成本较高,不易实现。

因此提供一种简单、低成本,且可以在一个像素上形成多个液晶取向实现多畴显示的设计方法具有十分重要意义。

发明内容

为了实现上述目的,本发明提供一种新颖、简单的具有多畴显示的液晶面板,其能够在一个像素内利用近晶相/胆甾相液晶聚合物形成多个液晶取向,从而实现多畴显示。

为了实现上述目的,本发明采用如下技术方案:

一种具有多畴显示的液晶面板,包括上、下两基板,其中,至少一个基板包括玻璃基板、涂覆在玻璃基板表面的常规取向层及与常规取向层取向方向不同的聚合物取向层,如图1所示。

所述玻璃基板为ITO导电玻璃。

所述常规取向层包括PI(聚酰亚胺Polyimide,简称PI)取向层、PVA(聚乙烯醇PolyvinylAlcohol,简称PVA)取向层或光取向层(如含有光响应物质的PI取向层)等,通过摩擦、光取向等方法使取向层具有一定取向方向,如图1中5所示。

所述聚合物取向层由包括近晶相液晶可聚合单体、胆甾相液晶可聚合单体、光引发剂混合涂覆于常规取向层,并经掩膜处理、紫外光辐照聚合而形成。

所述近晶相液晶可聚合单体与胆甾相液晶可聚合单体的质量比为20-80:80-20;进一步优选为40-60:40-60。

所述光引发剂为两种单体总质量的4%-6%。

所述近晶相液晶可聚合单体选自2-甲基丁基4’-(4-(6-(丙烯酰氧基)己氧基)苯甲酰氧基)联苯-4-羧酸酯;其结构式如下:

所述胆甾相液晶可聚合单体选自2-甲基-1,4-双(4-(6’-丙烯氧基己氧基)苯甲酰氧基)苯;其结构式如下:

所述光引发剂选自安息香双甲醚;其结构式如下:

所述掩膜处理为液晶领域常规处理工艺。在本发明聚合反应过程中,聚合物取向模块与常规取向层可以以间隔形式存在,宽度可调,但也可以设计成其他组合形式。作为本发明优选的实施方式,所述掩膜处理为在每个像素内将液晶混合物层均分为多组模块,间隔掩膜,从而在单个像素内形成多种液晶分子的初始排列;俯视图如图11所示。

当近晶相/胆甾相液晶聚合物取向层的每个取向模块的宽度为单个像素宽度的一半时,单个像素中有一半液晶分子直接接触常规取向层,另一半液晶分子直接接触近晶相/胆甾相液晶聚合物取向层,从而形成两种液晶分子的初始排列,即实现双畴液晶显示,如图6(a)所示。当近晶相/胆甾相液晶聚合物取向层的每个取向模块的宽度为单个像素宽度的1/3时,在单个像素内可以形成三种液晶分子的初始排列,从而实现三畴液晶显示,如图6(b)所示。当近晶相/胆甾相液晶聚合物取向层的每个取向模块的宽度为单个像素宽度的1/6时,在单个像素内可以形成6种液晶分子的初始排列,从而实现六畴液晶显示,如图6(c)所示。

本发明中将近晶相/胆甾相液晶聚合物取向层的每个取向模块的宽度设定为单个像素宽度的1/n,且n为2-30的整数,从而在单个像素内形成n种液晶分子的初始排列,进而实现多畴液晶显示,如图6(d)所示。所述n值进一步优选为3-8的整数。每个取向模块的具体尺寸可通过掩膜大小来控制。

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