[发明专利]一种基于主客体作用的光致形状记忆高分子及其制备方法

权利要求书

1.一种基于主客体作用的光致形状记忆高分子及其制备方法，其特征在于制备过程是将20-70wt％双键修饰的环糊精单体、30-80wt％双键修饰的偶氮苯单体、2-25wt％交联剂、10-60wt％功能单体、0.5-3wt％引发剂混合均匀，通氮气1小时后将混合体系转入模具，密封后，升温到60-130℃反应3-8小时，再升温到160℃反应1-3小时，冷却到室温后打开模具，即得到基于主客体作用的光致形状记忆高分子。

2.根据权利要求1所述的一种基于主客体作用的光致形状记忆高分子及其制备方法，其特征在于双键修饰的环糊精单体为α-环糊精单体或β-环糊精单体，通过丙烯酰氯、甲基丙烯酰氯、丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酰胺等单体中的一种与α-环糊精或β-环糊精反应制得。

3.根据权利要求1所述的一种基于主客体作用的光致形状记忆高分子及其制备方法，其特征在于双键修饰的偶氮苯单体通过丙烯酰氯、甲基丙烯酰氯、丙烯酸、甲基丙烯酸等单体中的一种与对羟基偶氮苯或对氨基偶氮苯反应制得。

4.根据权利要求1所述的一种基于主客体作用的光致形状记忆高分子及其制备方法，其特征在于交联剂选自二乙烯基苯、N,N-亚甲基双丙烯酰胺，乙二醇二甲基丙烯酸酯、聚乙二醇二甲基丙烯酸酯、聚丙二醇二甲基丙烯酸酯、聚己内酯二甲基丙烯酸酯中的一种或几种。

5.根据权利要求1所述的一种基于主客体作用的光致形状记忆高分子及其制备方法，其特征在于功能单体选自甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸缩水甘油酯、丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸-2-羟基乙酯、甲基丙烯酸-2-羟基羟乙酯、N-乙烯吡咯烷酮中的一种或几种。

6.根据权利要求1所述的一种基于主客体作用的光致形状记忆高分子及其制备方法，其特征在于引发剂选自偶氮二异丁腈、偶氮二异庚腈、过氧化二苯甲酰、二叔丁基过氧化物中的一种或几种。

7.根据权利要求1所述的一种基于主客体作用的光致形状记忆高分子及其制备方法，其特征在于形状记忆过程是通过光控的环糊精与偶氮苯之间的可逆交联作用来实现。

8.根据权利要求1所述的一种基于主客体作用的光致形状记忆高分子及其制备方法，其特征在于具体赋形和回复过程是，将不同模具中获得的记忆高分子材料升温到30-180℃下赋形，接着冷却到室温，得到赋形的临时形状，将该材料用小于350纳米波长的光源照射，材料的形状即发生回复，实现光致形状记忆过程。