[发明专利]封装方法以及封装结构

权利要求书

1.一种封装方法，其特征在于，包括：

提供若干单个的影像传感芯片，所述影像传感芯片具有影像感应区和环绕所述影像感应区的焊盘；

提供基底，所述基底包括若干功能区以及位于相邻功能区之间的切割道区域，所述基底功能区表面形成有缓冲层、以及位于缓冲层表面的金属层；

将所述影像传感芯片倒装置于基底功能区的上方，且所述焊盘和金属层电连接；

形成覆盖于所述功能区金属层表面以及影像传感芯片表面的塑封层；在所述塑封层内形成通孔，所述通孔底部暴露出金属层表面；

形成填充满所述通孔的焊接凸起，且焊接凸起顶部高于塑封层表面；

沿所述切割道区域切割所述基底，形成若干单颗封装结构。

2.如权利要求1所述封装方法，其特征在于，所述基底的材料为无机玻璃、有机玻璃或滤光玻璃。

3.如权利要求1所述封装方法，其特征在于，同一功能区的缓冲层内具有暴露出基底功能区表面的开口，所述开口的宽度大于或等于影像感应区的宽度。

4.如权利要求3所述封装方法，其特征在于，在焊盘和金属层电连接后，影像感应区位于开口上方。

5.如权利要求1所述封装方法，其特征在于，所述缓冲层覆盖于基底功能区和切割道区域表面。

6.如权利要求1所述封装方法，其特征在于，所述塑封层覆盖于同一功能区的金属层侧壁表面。

7.如权利要求1所述封装方法，其特征在于，所述缓冲层的材料为有机高分子光刻胶；所述金属层的材料为Cu、Al、W、Sn、Au或Sn-Au合金。

8.如权利要求1所述封装方法，其特征在于，所述缓冲层和金属层的形成步骤包括：在基底表面形成初始缓冲层；对所述初始缓冲层进行曝光显影处理，形成位于基底表面的缓冲层，暴露出基底部分功能区表面；在所述缓冲层表面形成初始金属层；在所述初始金属层表面形成图形化的掩膜层；以所述掩膜层为掩膜，刻蚀所述初始金属层，在缓冲层表面形成金属层。

9.如权利要求1所述封装方法，其特征在于，所述缓冲层和金属层的形成步骤包括：在基底表面形成初始缓冲层；在所述初始缓冲层表面形成初始金属层；在所述初始金属层表面形成图形化的掩膜层；以所述掩膜层为掩膜，依次刻蚀初始金属层以及初始缓冲层，在基底表面形成缓冲层，在缓冲层表面形成金属层。

10.如权利要求1所述封装方法，其特征在于，若干单个的影像传感芯片的形成步骤包括：提供待封装晶圆，所述待封装晶圆包括若干影像感应区和环绕所述影像感应区的焊盘；切割所述待封装晶圆形成若干单个的影像传感芯片。

11.如权利要求10所述封装方法，其特征在于，在切割所述待封装晶圆之前，还包括步骤：对所述待封装晶圆进行减薄处理。

12.如权利要求10所述封装方法，其特征在于，还包括步骤：在所述焊盘表面或金属层表面形成金属凸块，所述焊盘和金属层通过金属凸块电连接。

13.如权利要求12所述封装方法，其特征在于，所述金属凸块的材料为锡、金或锡合金。

14.如权利要求12所述封装方法，其特征在于，采用焊接键合工艺将焊盘与金属层连接，其中，焊接键合工艺为共晶键合、超声热压、热压焊接或超声波压焊。

15.如权利要求1所述封装方法，其特征在于，形成焊接凸起的工艺步骤包括：形成填充满所述通孔的金属材料，采用回流工艺，形成所述焊接凸起。

16.如权利要求1所述封装方法，其特征在于，所述焊接凸起顶部至塑封层表面的距离为20μm至100μm。

17.如权利要求1所述封装方法，其特征在于，采用刻蚀或激光打孔工艺形成所述通孔。