[发明专利]具有隔离隔膜的传感器

权利要求书

1.一种传感器组件，包括：

第一晶片，其具有在其中形成的腔，该腔限定与第一晶片的第一侧邻近的腔边缘；

第二晶片，其被第一晶片的第一侧支撑，其中第二晶片在腔的上方延伸从而形成隔膜，隔膜具有由腔的腔边缘限定的周边；

由隔膜支撑的一个或多个感测元件；以及

沟槽，其基本围绕隔膜的周边。

2.根据权利要求1所述的传感器组件，其中所述沟槽围绕隔膜的周边。

3.根据权利要求1或2所述的传感器组件，其中所述沟槽一直延伸通过第二晶片。

4.根据权利要求1或2所述的传感器组件，进一步包括位于沟槽中的绝缘材料，以及位于面向腔的隔膜上的绝缘层。

5.根据权利要求1或2所述的传感器组件，其中：

所述第二晶片具有在其上的绝缘层；并且

当所述第二晶片被所述第一晶片的第一侧支撑时，所述绝缘层面向所述腔。

6.根据权利要求5所述的传感器组件，进一步包括在与所述绝缘层相对的所述第二晶片上的钝化层。

7.一种制造具有隔膜的传感器的方法，所述方法包括：

在第一晶片的第一侧中创建腔，第一晶片具有第一侧和第二相对侧，腔限定了与第一晶片的第一侧邻近的腔边缘；

相对于第一晶片的第一侧结合第二晶片，从而形成在腔的上方延伸的隔膜，所述隔膜具有由所述腔的腔边缘限定的周边；

在所述隔膜上支撑一个或多个感测元件；并且

形成环绕隔膜的沟槽，所述沟槽基本围绕一个或多个感测元件，所述沟槽至少部分地填充材料，所述材料具有小于所述第二晶片的热传导率的热传导率。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述沟槽围绕一个或多个感测元件。

9.根据权利要求7或8所述的方法，其中所述隔膜具有面向腔的电绝缘材料。

10.根据权利要求7或8所述的方法，其中用熔化结合技术将所述第二晶片结合到所述第一晶片。

11.根据权利要求7或8所述的方法，其中至少部分地使用深反应离子蚀刻（DRIE）工艺来形成所述沟槽。

12.根据权利要求7或8所述的方法，其中用热氧化工艺以及氧化物沉积工艺中的一个将沟槽填充。