[发明专利]一种具滤波结构的变阻器有效
申请号: | 201410213764.9 | 申请日: | 2014-05-20 |
公开(公告)号: | CN103971866B | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
发明(设计)人: | 连清宏;许鸿宗;邱治盈 | 申请(专利权)人: | 立昌先进科技股份有限公司 |
主分类号: | H01C1/06 | 分类号: | H01C1/06;C03C14/00 |
代理公司: | 北京金信知识产权代理有限公司11225 | 代理人: | 黄威,喻嵘 |
地址: | 中国台湾桃园*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 滤波 结构 变阻器 | ||
技术领域
本发明涉及一种变阻器,特别是一种兼具防护静电放电(ESD)及防护电磁波干扰(EMI)双功能的变阻器。
背景技术
突波吸收器(或称变阻器)是电子组件、电子线路或电子设备的过电压或突波保护组件。随着科技日益进步,电子产品的工作频率愈来愈高,尺寸愈来愈小,电磁噪声的干扰问题也更加复杂。因此,赋予变阻器兼具双功能(下文泛称具滤波结构的变阻器),除具原本防护静电放电功能外,还兼具滤波功能以防护电磁波干扰,是近来的流行趋势。
具滤波结构的变阻器,是利用变阻器的主体具备电容功能,将变阻器的主体结合电阻层后,即共同构成兼顾防护电磁波干扰功能的RC滤波器,可以有效解决电子产品电磁干扰的问题。
所述变阻器的主体,在制造过程中,是以氧化锌为主要成分,并加入铋(Bi)、锑(Sb)、硅(Si)、钴(Co)、锰(Mn)、铬(Cr)等氧化物,经烧结温度900~1100℃高温煅烧后制成;而所述电阻层是使用一般电阻膏经过网版印刷后,再施予温度700~900℃煅烧热处理,使电阻膏固化及成为与变阻器的主体结合的电阻层。
在制造过程中,变阻器主体的烧结温度(900~1100℃)高于电阻层的热处理温度(700~900℃),两者不在同一温度范围之内进行热处理,故具滤波结构的变阻器主体与电阻层不能进行共烧,在构造上,将导致所述电阻层不能烧结在所述变阻器主体的内部,需等待到变阻器主体煅烧制成后,再网版印刷电阻层及对电阻层施予二次热处理加工。更具体而言,此结果将使得所述电阻层必须烧结在所述变阻器的主体外部表面,或者,使用不同的制法,将所述变阻器的主体与所述电阻层各自分开制成独立组件,再使用表面黏着(SMT)技术将两个组件结合成一体。
图1及图2所示的变阻器10,将电阻层烧结在变阻器主体的外部表面,是第一种具滤波结构的变阻器现有技术,其构造包括一变阻器主体11、一电阻层16、一绝缘保护层17、一组以上的外电极18a及18b以及二个接地外电极19a及19b。其中,所述变阻器主体11由一第一基板12、一接地电极层13、一内电极层14及一第二基板15依序迭合及烧结而成;所述变阻器主体11的内电极层14,以氧化锌为主要成分,设有一组以上相对且分开的内电极14a及14b,且与所对应的外电极18a及18b分别连接,具有变阻特性。
所述电阻层16对应所述内电极14a及14b位置而形成于所述第二基板15上方表面,再使用所述绝缘保护层17覆盖在所述电阻层16上面,以保护所述电阻层16,且所述电阻层16的两端与所对应的外电极18a及18b分别连接,进而与所对应的内电极14a及14b分别连接,使得所述电阻层16与所述内电极层14构成一组RC滤波器;所述接地电极层13以氧化锌为主要成分,且设有接地内电极13a及13b与所对应的接地外电极19a及19b分别连接,以构成并联于RC滤波器的接地电路,并且使得所述变阻器10具滤波功能以防护电磁波干扰。
图3所示的变阻器20,将变阻器与电阻层分开制成独立组件,是第二种具滤波结构的变阻器现有技术,其构造至少包括一变阻器组件21、一电阻基板22及二个外电极25,其中,所述变阻器组件21具变阻特性,所述电阻基板22上面设有一个以上电阻层23及二个接地电极24,以表面黏着(SMT)技术将所述变阻器组件21与所述电阻基板22结合成一体,再使用外电极25并联连接所述变阻器组件21的内电极(图未绘)及所述电阻基板22的电阻层23,以构成一组RC滤波器,同时,所述电阻基板22的接地电极24经过电性连接构成并联于RC滤波器的接地电路,使得所述变阻器20具滤波功能以防护电磁波干扰。
上述现有技术公开的变阻器10及20,均兼具防护静电放电(ESD)及防护电磁波干扰(EMI)双功能,但其缺点在于变阻器主体与电阻层不能进行共烧,电阻层不能烧结在所述变阻器主体的内部,故制作成本相对偏高。
发明内容
有鉴于此,本发明的主要目的在于开发一种具特定配方的电阻膏,除了适用于制成变阻器的电阻层外,其特性还包括将电阻膏烧成电阻层的温度调整至接近变阻器主体的高温煅烧温度900~1100℃,在烧结过程中,变阻器主体与电阻层可以进行共烧,且将电阻层烧结在所述变阻器主体的内部。
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