[发明专利]一种透明导电氧化物薄膜的制绒方法

权利要求书

1.一种透明导电氧化物薄膜的制绒方法，其特征在于，包括：

在样品上形成透明导电氧化物薄膜；

将形成有所述透明导电氧化物薄膜的样品置于绒面制备装置的注入腔室中；

对放置有所述透明导电氧化物薄膜的样品的绒面制备装置的注入腔室进行抽真空处理；

向经过所述抽真空处理后的绒面制备装置的注入腔室内通入刻蚀所述透明导电氧化物薄膜所需的刻蚀气体；

在所述绒面制备装置的注入腔室中将所述刻蚀气体转换为等离子体后，采用等离子体注入的方式对所述透明导电氧化物薄膜进行反应离子刻蚀处理，得到具有绒面结构的透明导电氧化物薄膜。

2.如权利要求1所述的制绒方法，其特征在于，所述采用等离子体注入的方式对所述透明导电氧化物薄膜进行反应离子刻蚀处理，具体包括：

在所述绒面制备装置的等离子体电源的输出功率为1W-10000W、等离子体电源的频率为1KHz-50GHz、施加的偏置电压为-10000V-10000V、施加偏置电压的电源的脉冲宽度为1μs-1s、施加偏置电压的电源的占空比为1％-99％和刻蚀时间为1min-60min的条件下采用等离子体注入的方式对所述透明导电氧化物薄膜进行反应离子刻蚀处理。

3.如权利要求2所述的制绒方法，其特征在于，所述等离子体电源的输出功率为50W-1500W，所述等离子体电源的频率为1MHz-100MHz，所述施加的偏置电压为-5000V-0V，所述施加偏置电压的电源的脉冲宽度为1μs-0.1s，所述施加偏置电压的电源的占空比为10％-90％，所述刻蚀时间为1min-30min。

4.如权利要求1所述的制绒方法，其特征在于，向经过所述抽真空处理后的绒面制备装置的注入腔室内通入刻蚀所述透明导电氧化物薄膜所需的刻蚀气体，具体包括：

向所述绒面制备装置的注入腔室内通入刻蚀所述透明导电氧化物薄膜所需的刻蚀气体，使所述绒面制备装置的注入腔室的刻蚀压强为10^-2Pa-10³Pa。

5.如权利要求4所述的制绒方法，其特征在于，所述刻蚀压强为10^-1Pa-500Pa。

6.如权利要求1所述的制绒方法，其特征在于，对所述绒面制备装置的注入腔室进行抽真空处理，具体包括:

对所述绒面制备装置的注入腔室进行抽真空处理，至所述绒面制备装置的注入腔室的本底压强为10^-7Pa-10³Pa。

7.如权利要求6所述的制绒方法，其特征在于，所述本底压强为10^-7Pa-10^-3Pa。

8.如权利要求1-7任一项所述的制绒方法，其特征在于，所述透明导电氧化物薄膜的材料为掺锡氧化铟、掺铝氧化锌、掺镓氧化锌或掺氟氧化锡。

9.如权利要求8所述的制绒方法，其特征在于，刻蚀所述透明导电氧化物薄膜所需的刻蚀气体为三氯化硼、甲烷、乙烯、氢气、氯气和氩气中之一或任意组合。

10.如权利要求1-7任一项所述的制绒方法，其特征在于，在得到具有绒面结构的透明导电氧化物薄膜之后，还包括：

采用湿法化学刻蚀方法对所述具有绒面结构的透明导电氧化物薄膜进行反应刻蚀处理。

11.如权利要求10所述的制绒方法，其特征在于，所述采用湿法化学刻蚀方法对所述具有绒面结构的透明导电氧化物薄膜进行反应刻蚀处理，具体包括：

将所述具有绒面结构的透明导电氧化物薄膜放入刻蚀溶液中，对所述具有绒面结构的透明导电氧化物薄膜进行反应刻蚀处理。

12.如权利要求11所述的制绒方法，其特征在于，所述刻蚀溶液为盐酸、硝酸、硫酸、磷酸、氯化铵和氯化铁中一种或任意组合。