[发明专利]一种透明导电氧化物薄膜的制绒方法有效
申请号: | 201410214045.9 | 申请日: | 2014-05-20 |
公开(公告)号: | CN103985787A | 公开(公告)日: | 2014-08-13 |
发明(设计)人: | 谷士斌;杨荣;何延如;赵冠超;温转萍;李立伟;孟原;郭铁 | 申请(专利权)人: | 新奥光伏能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 065001 河北省*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 透明 导电 氧化物 薄膜 方法 | ||
1.一种透明导电氧化物薄膜的制绒方法,其特征在于,包括:
在样品上形成透明导电氧化物薄膜;
将形成有所述透明导电氧化物薄膜的样品置于绒面制备装置的注入腔室中;
对放置有所述透明导电氧化物薄膜的样品的绒面制备装置的注入腔室进行抽真空处理;
向经过所述抽真空处理后的绒面制备装置的注入腔室内通入刻蚀所述透明导电氧化物薄膜所需的刻蚀气体;
在所述绒面制备装置的注入腔室中将所述刻蚀气体转换为等离子体后,采用等离子体注入的方式对所述透明导电氧化物薄膜进行反应离子刻蚀处理,得到具有绒面结构的透明导电氧化物薄膜。
2.如权利要求1所述的制绒方法,其特征在于,所述采用等离子体注入的方式对所述透明导电氧化物薄膜进行反应离子刻蚀处理,具体包括:
在所述绒面制备装置的等离子体电源的输出功率为1W-10000W、等离子体电源的频率为1KHz-50GHz、施加的偏置电压为-10000V-10000V、施加偏置电压的电源的脉冲宽度为1μs-1s、施加偏置电压的电源的占空比为1%-99%和刻蚀时间为1min-60min的条件下采用等离子体注入的方式对所述透明导电氧化物薄膜进行反应离子刻蚀处理。
3.如权利要求2所述的制绒方法,其特征在于,所述等离子体电源的输出功率为50W-1500W,所述等离子体电源的频率为1MHz-100MHz,所述施加的偏置电压为-5000V-0V,所述施加偏置电压的电源的脉冲宽度为1μs-0.1s,所述施加偏置电压的电源的占空比为10%-90%,所述刻蚀时间为1min-30min。
4.如权利要求1所述的制绒方法,其特征在于,向经过所述抽真空处理后的绒面制备装置的注入腔室内通入刻蚀所述透明导电氧化物薄膜所需的刻蚀气体,具体包括:
向所述绒面制备装置的注入腔室内通入刻蚀所述透明导电氧化物薄膜所需的刻蚀气体,使所述绒面制备装置的注入腔室的刻蚀压强为10-2Pa-103Pa。
5.如权利要求4所述的制绒方法,其特征在于,所述刻蚀压强为10-1Pa-500Pa。
6.如权利要求1所述的制绒方法,其特征在于,对所述绒面制备装置的注入腔室进行抽真空处理,具体包括:
对所述绒面制备装置的注入腔室进行抽真空处理,至所述绒面制备装置的注入腔室的本底压强为10-7Pa-103Pa。
7.如权利要求6所述的制绒方法,其特征在于,所述本底压强为10-7Pa-10-3Pa。
8.如权利要求1-7任一项所述的制绒方法,其特征在于,所述透明导电氧化物薄膜的材料为掺锡氧化铟、掺铝氧化锌、掺镓氧化锌或掺氟氧化锡。
9.如权利要求8所述的制绒方法,其特征在于,刻蚀所述透明导电氧化物薄膜所需的刻蚀气体为三氯化硼、甲烷、乙烯、氢气、氯气和氩气中之一或任意组合。
10.如权利要求1-7任一项所述的制绒方法,其特征在于,在得到具有绒面结构的透明导电氧化物薄膜之后,还包括:
采用湿法化学刻蚀方法对所述具有绒面结构的透明导电氧化物薄膜进行反应刻蚀处理。
11.如权利要求10所述的制绒方法,其特征在于,所述采用湿法化学刻蚀方法对所述具有绒面结构的透明导电氧化物薄膜进行反应刻蚀处理,具体包括:
将所述具有绒面结构的透明导电氧化物薄膜放入刻蚀溶液中,对所述具有绒面结构的透明导电氧化物薄膜进行反应刻蚀处理。
12.如权利要求11所述的制绒方法,其特征在于,所述刻蚀溶液为盐酸、硝酸、硫酸、磷酸、氯化铵和氯化铁中一种或任意组合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的