[发明专利]封装方法以及封装结构有效
申请号: | 201410214061.8 | 申请日: | 2014-05-20 |
公开(公告)号: | CN103985723B | 公开(公告)日: | 2017-06-20 |
发明(设计)人: | 王之奇;喻琼;王蔚 | 申请(专利权)人: | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 应战,骆苏华 |
地址: | 215021 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 方法 以及 结构 | ||
1.一种封装方法,其特征在于,包括:
提供若干单个的影像传感芯片,所述影像传感芯片具有影像感应区和环绕所述影像感应区的焊盘;
提供PCB基板,所述PCB基板包括若干功能区以及位于相邻功能区之间的切割道区域,所述PCB基板功能区表面形成有金属层;
将所述影像传感芯片倒装置于PCB基板功能区的上方,且所述焊盘和金属层电连接;
形成覆盖于所述功能区金属层表面以及影像传感芯片表面的塑封层;
在所述塑封层内形成通孔,所述通孔底部暴露出金属层表面;
形成填充满所述通孔的焊接凸起,且所述焊接凸起顶部高于塑封层表面;
沿所述切割道区域切割所述PCB基板,形成若干单颗封装结构。
2.如权利要求1所述封装方法,其特征在于,在所述PCB基板内形成贯穿PCB基板的孔洞,且在焊盘和金属层电连接后影像感应区位于孔洞上方。
3.如权利要求2所述封装方法,其特征在于,采用冲压或钻孔工艺形成所述孔洞。
4.如权利要求2所述封装方法,其特征在于,在形成所述金属层后,在PCB基板背面形成胶带层,胶带层封闭所述孔洞一端。
5.如权利要求4所述封装方法,其特征在于,所述胶带层的材料为UV解胶胶带材料、热解胶胶带材料、IR玻璃或AR玻璃。
6.如权利要求1所述封装方法,其特征在于,所述金属层覆盖于PCB基板功能区和切割道区域表面。
7.如权利要求1所述封装方法,其特征在于,所述塑封层覆盖于同一功能区的金属层侧壁表面。
8.如权利要求1所述封装方法,其特征在于,所述金属层的材料为Cu、Al、W、Sn、Au或Sn-Au合金。
9.如权利要求1所述封装方法,其特征在于,所述若干单个的影像传感芯片的形成步骤包括:提供待封装晶圆,所述待封装晶圆内具有若干影像感应区和环绕所述影像感应区的焊盘;切割所述待封装晶圆,形成若干单个的影像传感芯片。
10.如权利要求9所述封装方法,其特征在于,在切割所述待封装晶圆之前,还包括步骤:对所述封装晶圆进行减薄处理。
11.如权利要求9所述封装方法,其特征在于,还包括步骤:在所述焊盘表面或金属层表面形成金属凸块,所述焊盘和金属层通过金属凸块电连接。
12.如权利要求11所述封装方法,其特征在于,所述金属凸块的材料为锡、金或锡合金。
13.如权利要求11所述封装方法,其特征在于,采用焊接键合工艺将焊盘与金属层连接,其中,焊接键合工艺为共晶键合、超声热压、热压焊接或超声波压焊。
14.如权利要求1所述封装方法,其特征在于,所述塑封层的材料为环氧树脂或丙烯酸树脂。
15.如权利要求1所述封装方法,其特征在于,形成焊接凸起的工艺步骤包括:形成填充满所述通孔的金属材料,采用回流工艺,形成所述焊接凸起。
16.如权利要求1所述封装方法其特征在于,所述焊接凸起顶部至塑封层顶部的距离为20μm至100μm。
17.如权利要求1所述封装方法,其特征在于,采用刻蚀或激光打孔工艺形成所述通孔。
18.一种封装结构,其特征在于,包括:
PCB基板;
位于所述PCB基板表面的金属层;
倒装在PCB基板上方的影像传感芯片,所述影像传感芯片具有影像感应区和环绕所述影像感应区的焊盘,且所述焊盘和金属层电连接;
位于所述金属层表面以及影像传感芯片表面的塑封层;
位于所述塑封层内的通孔,且所述通孔暴露出金属层表面;
填充满所述通孔的焊接凸起,所述焊接凸起顶部高于塑封层表面。
19.如权利要求18所述封装结构,其特征在于,所述PCB基板内具有贯穿PCB基板的孔洞,且影像感应区位于孔洞上方。
20.如权利要求19所述封装结构,其特征在于,所述孔洞的宽度大于或等于影像感应区的宽度。
21.如权利要求18所述封装结构,其特征在于,所述焊接凸起顶部至塑封层顶部的距离为20μm至100μm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的