[发明专利]电感负载功率开关电路

权利要求书

1.一种电路，包括：

第一开关器件，与负载和第二开关器件耦接，

其中，所述第一开关器件具有第一栅极和第一沟道，所述第二开关器件具有第二栅极和第二沟道，

其中，所述第二开关器件被构造以使得，在第一操作模式中，当所述第二栅极被偏置得低于所述第二开关器件的阈值电压时，电流沿第一方向流过所述第二沟道，并且在第二操作模式中，当所述第二栅极被偏置得高于所述第二开关器件的阈值电压时，电流沿所述第一方向流过所述第二沟道。

2.根据权利要求1所述的电路，其中，所述电路被构造以使得，在第三操作模式中，所述第二开关器件阻断所述第二开关器件两端的电压。

3.根据权利要求2所述的电路，其中

在所述第一操作模式和第二操作模式中，所述第一栅极被偏置得低于所述第一开关器件的阈值电压；以及

在所述第三操作模式中，所述第一栅极被偏置得高于所述第一开关器件的阈值电压。

4.一种电路，包括：

第一开关器件，与负载和第二开关器件耦接，

其中，所述第二开关器件包括高电子迁移率晶体管，所述第一开关器件具有第一栅极和第一沟道，所述第二开关器件具有第二栅极和第二沟道；

其中，所述第二开关器件被构造使得，在第一操作模式中，所述第二开关器件阻断按第一极性的所述第二开关器件两端的电压，以及在第二操作模式中，当电压按相反极性在所述第二开关器件两端并且所述第二栅极被偏置得低于所述第二开关器件的阈值电压时，则电流流过所述第二沟道。

5.根据权利要求4所述的电路，其中所述电路被构造使得在第三操作模式中，电压按所述相反极性在所述第二开关器件两端，所述第二开关器件的第二栅极被偏置得高于所述第二开关器件的阈值电压，并且电流流过所述第二沟道。

6.根据权利要求5所述的电路，其中所述第二开关器件的高电子迁移率晶体管是III族氮化物高电子迁移率晶体管。

7.一种电路，包括：

第一开关器件，与负载和第二开关器件耦接，

其中所述第二开关器件包括III族氮化物晶体管，所述第一开关器件具有第一栅极和第一沟道，所述第二开关器件具有第二栅极和第二沟道，

其中，所述第二开关器件被构造以使得阻断按第一极性的所述第二开关器件两端的电压，当电压按相反极性在所述第二开关器件两端且所述第二栅极被偏置得低于所述第二开关器件的阈值电压时，使电流流过所述第二沟道，以及当电压按所述相反极性在所述第二开关器件两端且所述第二栅极被偏置得高于所述第二开关器件的阈值电压时，使电流流过所述第二沟道。

8.根据权利要求1-7之一所述的电路，其中，所述第一开关器件包括高电子迁移率晶体管。

9.根据权利要求1-7之一所述的电路，其中所述第一开关器件包括III族氮化物高电子迁移率晶体管。

10.根据权利要求1-7之一所述的电路，其中所述第二开关器件是增强型晶体管。

11.根据权利要求1-7之一所述的电路，其中所述电路是功率因数校正电路。

12.一种用于操作电路的方法，所述电路包括电感负载、第一开关器件和第二开关器件，所述方法包括：

在第一时间，把所述第一开关器件的栅极偏置得高于所述第一开关器件的阈值电压，并且把所述第二开关器件的栅极偏置得低于所述第二开关器件的阈值电压，使得电流流过所述第一开关器件；

在接着所述第一时间之后的第二时间，把所述第一开关器件的栅极上的偏压改变得低于所述第一开关器件的所述阈值电压，引起所述第一开关器件在阻断模式中操作并且所述第二开关器件在二极管模式中操作，使得电流流过所述第二开关器件的沟道；以及

在接着所述第二时间的第三时间，把所述第二开关器件的所述栅极上的偏压改变得高于所述第二开关器件的所述阈值电压，其中，在接着所述第三时间之后，电流继续流过所述第二开关器件的沟道。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述第二开关器件包括高压衰竭型晶体管和低压增强型晶体管。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述高压衰竭型晶体管包括III族氮化物高电子迁移率晶体管。