[发明专利]一种用于超薄石英基片上光刻刻蚀双面薄膜电路图形的方法

权利要求书

1.一种用于超薄石英基片上光刻刻蚀双面薄膜电路图形的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤101：将超薄石英基片双面抛光并将其设置形成正反面金属薄膜；

步骤102：通过超薄石英基片与载片临时键合并光刻刻蚀工艺在超薄石英基片金属化上表面形成薄膜电路图形和对准标记；

步骤103：通过超薄石英基片与载片临时键合并光刻刻蚀工艺在超薄石英基片金属化下表面形成双面对准窗口；

步骤104：利用基片透明属性将金属化上表面对准标记与掩膜版对准标记实现对准，通过超薄石英基片与载片临时键合并光刻刻蚀工艺在超薄石英基片金属化下表面形成对应的薄膜电路图形。

2.如权利要求1所述的用于超薄石英基片上光刻刻蚀双面薄膜电路图形的方法，其特征在于，所述步骤101中，所述超薄石英基片形状为圆形、长方形、正方形或不规则形状，厚度为30μm-50μm，平面尺寸为10mm×10mm-76mm×76mm；所述设置形成的正反面金属薄膜材料设置相同或不同。

3.如权利要求1所述的用于超薄石英基片上光刻刻蚀双面薄膜电路图形的方法，其特征在于，所述步骤102、103和104中，所述超薄石英基片与载片临时键合并光刻刻蚀工艺，包括以下步骤：

(a)、将超薄石英基片的待光刻蚀金属薄膜表面朝上，超薄石英基片的另一面与载片的抛光面通过光刻胶粘接形成一临时键合体；

(b)、经过涂覆光刻胶、前烘、曝光、显影和后烘后，在超薄石英基片的待光刻蚀金属薄膜上形成抗蚀剂图形；

(c)、将抗蚀剂图形通过湿法刻蚀或干法刻蚀后传递到待光刻蚀金属薄膜上；

(d)、去除光刻胶，并将临时键合体分离，得到一形成当前薄膜电路图形的超薄石英基片。

4.如权利要求3所述的用于超薄石英基片上光刻刻蚀双面薄膜电路图形的方法，其特征在于，所述步骤(a)中，所述载片形状为圆形、长方形、正方形或不规则形状，平面尺寸大于或等于超薄石英基片尺寸，厚度为0.254mm-0.65mm，材料为纯度99.6％-100％的氧化铝基片或纯度98％的氮化铝基片或蓝宝石基片或石英基片。

5.如权利要求3所述的用于超薄石英基片上光刻刻蚀双面薄膜电路图形的方法，其特征在于，所述步骤(a)中，形成一临时键合体的方法为：在载片上涂覆一层光刻胶湿膜，将石英基片待光刻蚀金属薄膜表面朝上通过真空笔吸附迅速放置在所述载片的光刻胶湿膜上，然后在80-90℃温度下干燥10分钟或110℃温度下干燥5分钟。

6.如权利要求3所述的用于超薄石英基片上光刻刻蚀双面薄膜电路图形的方法，其特征在于，所述步骤(a)和(b)中，所述光刻胶为紫外敏感正性光刻胶，所述涂覆光刻胶方法为旋转涂覆法或喷雾式涂布法。

7.如权利要求3所述的用于超薄石英基片上光刻刻蚀双面薄膜电路图形的方法，其特征在于，所述步骤(c)中，所述湿法刻蚀为采用湿法腐蚀工艺将光刻胶图形转移至超薄石英基片待光刻和刻蚀的金属薄膜上；腐蚀液选择对应腐蚀金属薄膜材料，设置每一种金属腐蚀液只腐蚀对应金属，而对于抗蚀剂及其它金属膜层不发生反应。

8.如权利要求3所述的用于超薄石英基片上光刻刻蚀双面薄膜电路图形的方法，其特征在于，所述步骤(d)中，所述去除光刻胶并将临时键合体分离的方法为：先使用丙酮在室温下超声波处理10分钟，将抗蚀剂图形去除干净，并将载片和形成薄膜电路图形的超薄石英基片分离，然后将形成薄膜电路图形的超薄石英基片用去离子水清洗干净，干燥。