[发明专利]一种纤维状硅基薄膜太阳电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201410215673.9 申请日: 2014-05-21
公开(公告)号: CN103972321B 公开(公告)日: 2017-05-03
发明(设计)人: 杨培志;段良飞;杨雯;李学铭;涂晔 申请(专利权)人: 云南师范大学
主分类号: H01L31/075 分类号: H01L31/075;H01L31/0352;H01L31/20
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 650500 云*** 国省代码: 云南;53
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摘要:
搜索关键词: 一种 纤维状 薄膜 太阳电池 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种纤维状硅基薄膜太阳电池的制备方法,其特征在于,采用不锈钢纤维状丝线作为衬底,进行腐蚀清洗;用磁控溅射镀膜系统在衬底上先涂敷一层绝缘材料,再制备Al膜作为背电极,本底真空为6.0×10-4Pa,工作压强为1.0~1.5Pa,纯度为99.999%的Al靶为靶材,溅射气体为纯度为99.999%的Ar,溅射功率为73W,Al膜厚度为100~340nm;利用三室等离子体增强化学汽相沉积镀膜系统,将不锈钢纤维状丝线安置在垂直旋转阀上,系统本底真空为6×10-3Pa;在掺杂室1中以SiH4和10%的稀释磷烷PH3+H2为放电气体,氢稀释比为55~65,衬底温度为150℃,放电功率密度为100~200mW/cm2,制备n-a-Si:H,厚度为20~25nm;在本征室中以SiH4为放电气体,生长压力、衬底温度和功率密度分别为100Pa、200℃、50~80mW/cm2,氢稀释比为10~20,制备i-a-Si:H,厚度为300~500nm;在掺杂室2中,以硅烷SiH4和1%的稀释的硼烷B2H6+H2为放电气体,生长时的压力、温度和功率密度分别为100Pa、170℃、100~200mW/cm2,制备p-a-Si:H,厚度为15~20nm;利用磁控溅射镀膜系统在P层硅薄膜表面溅射制备ITO透明导电氧化层,厚度为300~400nm;该ITO透明导电氧化层包覆缠绕在表面的工作电极引出前电极;前电极制备完毕,在表面涂上一层绝缘保护膜。

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