[发明专利]一种纤维状硅基薄膜太阳电池及其制备方法有效
申请号: | 201410215673.9 | 申请日: | 2014-05-21 |
公开(公告)号: | CN103972321B | 公开(公告)日: | 2017-05-03 |
发明(设计)人: | 杨培志;段良飞;杨雯;李学铭;涂晔 | 申请(专利权)人: | 云南师范大学 |
主分类号: | H01L31/075 | 分类号: | H01L31/075;H01L31/0352;H01L31/20 |
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地址: | 650500 云*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 纤维状 薄膜 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种纤维状硅基薄膜太阳电池的制备方法,其特征在于,采用不锈钢纤维状丝线作为衬底,进行腐蚀清洗;用磁控溅射镀膜系统在衬底上先涂敷一层绝缘材料,再制备Al膜作为背电极,本底真空为6.0×10-4Pa,工作压强为1.0~1.5Pa,纯度为99.999%的Al靶为靶材,溅射气体为纯度为99.999%的Ar,溅射功率为73W,Al膜厚度为100~340nm;利用三室等离子体增强化学汽相沉积镀膜系统,将不锈钢纤维状丝线安置在垂直旋转阀上,系统本底真空为6×10-3Pa;在掺杂室1中以SiH4和10%的稀释磷烷PH3+H2为放电气体,氢稀释比为55~65,衬底温度为150℃,放电功率密度为100~200mW/cm2,制备n-a-Si:H,厚度为20~25nm;在本征室中以SiH4为放电气体,生长压力、衬底温度和功率密度分别为100Pa、200℃、50~80mW/cm2,氢稀释比为10~20,制备i-a-Si:H,厚度为300~500nm;在掺杂室2中,以硅烷SiH4和1%的稀释的硼烷B2H6+H2为放电气体,生长时的压力、温度和功率密度分别为100Pa、170℃、100~200mW/cm2,制备p-a-Si:H,厚度为15~20nm;利用磁控溅射镀膜系统在P层硅薄膜表面溅射制备ITO透明导电氧化层,厚度为300~400nm;该ITO透明导电氧化层包覆缠绕在表面的工作电极引出前电极;前电极制备完毕,在表面涂上一层绝缘保护膜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的