[发明专利]PMOS源漏区离子注入方法、PMOS的制备方法有效
| 申请号： | 201410215785.4 | 申请日： | 2014-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN103972108B | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 邱裕明 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201315 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 源漏区 制备 离子 衬底 析出 二氟化硼 有效缓解 半导体 腐蚀 | ||
【权利要求书】：
1.一种PMOS源漏区离子注入方法，其特征在于，包括：首先，对半导体衬底中的源漏区进行硼注入；然后，对所述源漏区进行氟注入；所述硼注入采用的气体为不含氟的气体；硼注入的剂量为2*E15-3*E15且不包含2*E15；所述硼注入时采用的温度10-20℃，压强不大于5*E-5托，气体流量为0.5-1.5sccm；所述氟注入时采用的温度10-20℃，压强不大于5*E-5托，气体流量为0.5-1.5sccm。
2.根据权利要求1所述的离子注入方法，其特征在于，所述氟注入的剂量为1*E15-3*E15。
3.根据权利要求1所述的离子注入方法，其特征在于，所述硼注入采用的气体为B10H22、C2B10H12的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的离子注入方法，其特征在于，所述氟注入采用的气体为BF3、GeF4的一种或多种。
5.一种PMOS器件的制备方法，其特征在于，包括：采用权利要求1-4任意一项所述的离子注入方法来进行源漏区离子注入。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
