[发明专利]低能离子注入介导Ri质粒转化诱导黄芩毛状根的方法

权利要求书

1.一种低能离子注入介导Ri质粒转化诱导黄芩毛状根的方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)将黄芩外植体转接到含50～200μg/mL乙酰丁香酮的MS固体培养基中，转接后于25～28℃黑暗培养2～3天，培养后用无菌水将黄芩外植体表面的培养基冲洗干净，冲洗干净后将黄芩外植体表面的无菌水用无菌风吹干，吹干后在黄芩外植体上划痕；

2)经过步骤1)后，将黄芩外植体放置于离子注入机的真空靶室内，然后对黄芩外植体进行低能离子注入；

3)将经过低能离子注入的黄芩外植体浸泡入含Ri质粒的TE缓冲溶液中并进行避光温育，温育的时间为2～4h，温育的温度为25～28℃，然后将黄芩外植体接种于含0.1～0.5mg/L吲哚-3-丁酸的MS固体培养基中，接种后于25～28℃黑暗培养21～25天诱导出毛状根。

2.根据权利要求1所述一种低能离子注入介导Ri质粒转化诱导黄芩毛状根的方法，其特征在于：所述黄芩外植体为切成0.5～1.0cm的黄芩带节茎段的碎段。

3.根据权利要求1所述一种低能离子注入介导Ri质粒转化诱导黄芩毛状根的方法，其特征在于：所述含Ri质粒的TE缓冲溶液中Ri质粒的浓度为≥200μg/mL。

4.根据权利要求1所述一种低能离子注入介导Ri质粒转化诱导黄芩毛状根的方法，其特征在于：所述离子注入的条件为：以N⁺作为注入离子，注入剂量为2.5×10¹⁶～3.5×10¹⁶ions/cm²，注入能量为25～30KeV，脉冲时间为5～10s，间隔时间为5～10s，真空度为1.5～2.0×10^-4Pa。