[发明专利]防拉弧贴装型熔断器

说明书

技术领域

本发明涉及熔断器技术领域，具体涉及一种防拉弧贴装型熔断器。

背景技术

现有的熔断器其优点是其玻璃陶瓷具有较强的灭弧能力，因此能达到较大的分断能力，但是缺点是它的制作周期较长，熔断体与生坯共烧时存在相互渗透风险而导致一致性不佳；片阻工艺是一个很成熟的工艺，其基本工艺是首先提供具有正反面的绝缘基片，基片上有横向和纵向的切槽，从而将基片分割成多个矩形单元，随后在基片上的各单元上分别形成表电极、背电极和熔体以及覆盖熔体的保护层，将基片沿纵向切槽分割为多条基片，在各条基片的两侧端面上形成端头内电极，最后将各条基片按横向切槽分割成多个矩形单元从而得到所需要的芯片，其优点是工艺制造流程简单，制作周期短，能大批量生产，其缺点是不能应用在高电压、高可靠性环境中；在绝缘体内穿金属丝的熔断器最常见的是将熔丝传人陶瓷体内空腔后再与端电极相联，其优点是该熔断器分断能力较大，且一致性也较好，缺点是熔丝细小易断，穿丝工艺复杂，效率低下，很难进行大批量的制作，且熔丝形状可设计受限。

发明内容

本发明目的是提供一种防拉弧贴装型熔断器，此防拉弧贴装型熔断器有减少拉弧并且降低熔断后重新短路的风险，增大了熔断后的绝缘电阻，大大的提高熔断器的整体强度和分断能力以及耐冷热冲击能力。

为达到上述目的，本发明采用的技术方案是：一种防拉弧贴装型熔断器，包括熔断芯片，此熔断芯片主要由两个端电极、陶瓷基片、第一熔体层和第一灭弧玻璃层组成，所述第一熔体层位于陶瓷基片上表面，两个所述端电极分别位于第一熔体层两侧并与所述第一熔体层电连接，所述第一灭弧玻璃层覆盖于所述第一熔体层和端电极中靠熔体层的区域；

所述端电极由表电极、背电极和侧电极组成，位于所述陶瓷基片上表面的所述表电极位于所述第一熔体层一侧，所述端电极中靠第一熔体层的区域为此表电极中的部分区域，所述背电极位于所述陶瓷基片下表面，所述侧电极电连接所述表电极和背电极；一第二熔体层位于陶瓷基片下表面，两个所述背电极分别位于所述第二熔体层两侧并与所述第二熔体层电连接；所述第二灭弧玻璃层覆盖于所述第二熔体层和背电极中靠第二熔体层的区域；

一中间具有圆形通孔的熔断本体，其端头制备有金属层，所述熔断芯片位于此熔断本体的圆形通孔内，两个金属盖分别位于所述熔断本体两端并覆盖其圆形通孔从而形成密闭腔，所述端电极通过焊片与所述金属盖电连接；所述陶瓷基片和第一、第二熔体层之间均设置有玻璃釉层；所述熔断本体材料为氧化锆掺杂氧化铝陶瓷，其中氧化锆含量5%~20%。

上述技术方案中进一步改进的技术方案如下：

1、上述方案中，所述圆形通孔内熔断芯片和熔断本体之间填充有缓冲层，此缓冲层为二氧化硅改性的硅胶，其中二氧化硅含量20%~60%。

2、上述方案中，所述缓冲层为二氧化硅改性的硅胶，其中二氧化硅含量20%~60%。

3、上述方案中，所述陶瓷基片材料为镁橄榄石陶瓷基板。

由于上述技术方案运用，本发明与现有技术相比具有下列优点和效果：

1、本发明提供的防拉弧贴装型熔断器，其芯片是在制备有高软化点的致密的绝缘玻璃釉层的陶瓷基片上，通过厚膜印刷、分步烧结工艺制作熔丝层，因此不存在类似于独石工艺的熔丝与基材共烧时相互渗透问题，进而不存在因熔丝渗透而导致的芯片一致性不佳问题。

2、本发明提供的防拉弧贴装型熔断器，其芯片中熔丝可设计成多联体结构、或芯片设计为双面结构，避免因熔断器额定电流增加而增加熔断单元的厚度或是宽度，导致局部熔体金属过量，使熔断时灭弧层不能全部吸收熔断时产生的金属蒸汽。多联体结构能将熔断单元分开并均匀的排列，在熔断时产生的金属蒸汽能被灭弧层均匀的吸收，减少拉弧并且降低熔断后重新短路的风险，还能增大熔断后的绝缘电阻。

附图说明

图1为本发明熔断本体结构示意图；

图2为本发明具有金属层的熔断本体结构示意图；

图3为本发明陶瓷基片结构示意图；

图4为本发明具有玻璃釉层的陶瓷基片结构示意图；

图5-7为本发明防拉弧贴装型熔断器制造流程示意图；

图8为附图5的俯视结构示意图；

图9为附图6的俯视结构示意图；

图10为附图7的俯视结构示意图；

图11为本发明防拉弧贴装型熔断器局部剖视结构示意图；

图12为本发明防拉弧贴装型熔断器局部剖视结构示意图；