[发明专利]一种具有阶梯形屏蔽槽耐压结构及双漏极结构的SOI高压器件在审
| 申请号： | 201410216630.2 | 申请日： | 2014-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN105097920A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 张炯;曲凯;徐帆;程玉华 | 申请（专利权）人： | 上海北京大学微电子研究院 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 阶梯 屏蔽 耐压 结构 双漏极 soi 高压 器件 | ||
1.一种具有阶梯形屏蔽槽耐压结构以及具有双漏极结构的SOI高压双扩散金属氧化物半导体场效应管器件，器件的横向耐压仍使用场板技术、表面P降场层的双RESURF技术来解决；其特征是：此器件具有双漏电极，增加了耗尽区与漏区的面积，减弱了横向电常，提高了横向击穿电压；对于器件的纵向耐压，器件是通过在Si和埋层Si02界面上形成了阶梯形的屏蔽槽的结构来解决。
2.如权利要求1所述的一种具有阶梯形屏蔽槽耐压结构以及具有双漏极结构的SOI高压器件，其特征在于，阶梯形屏蔽槽结构位于漏区下方。
3.如权利要求1所述的一种具有阶梯形屏蔽槽耐压结构以及具有双漏极结构的SOI高压器件，其特征在于，阶梯形屏蔽槽结构越靠近漏区其高度越高。
4.如权利要求1所述的一种具有阶梯形屏蔽槽耐压结构以及具有双漏极结构的SOI高压器件，其特征在于，在左右两个漏区下方存在有对称的屏蔽槽结构。
5.如权利要求1所述的一种具有阶梯形屏蔽槽耐压结构以及具有双漏极结构的SOI高压器件，其特征在于，屏蔽槽之间的距离是均匀的。
6.如权利要求1所述的一种具有阶梯形屏蔽槽耐压结构以及具有双漏极结构的SOI高压器件，其特征在于，该器件具有两个漏极。
7.如权利要求1所述的一种具有阶梯形屏蔽槽耐压结构以及具有双漏极结构的SOI高压器件，其特征在于，该器件两个漏极对称分布。
8.如权利要求6和7所述的两个对称的双漏极结构，其特征在于，双漏极位于金属氧化物场效应管的两端。
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