[发明专利]功率器件结构在审
| 申请号： | 201410216638.9 | 申请日： | 2014-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN105097924A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 徐帆;徐晓威;刘志东;程玉华 | 申请（专利权）人： | 上海北京大学微电子研究院 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率 器件 结构 | ||
1.一种双扩散金属氧化物半导体场效应管结构，包括漂移区及位于漂移区中的阱，该阱与漂移区的极型相反，其特征在于，该阱的粒子注入面轮廓线全部或部分是曲线。
2.如权利要求1所述的双扩散金属氧化物半导体场效应管结构，其特征在于，所述轮廓线为圆形或椭圆形。
3.如权利要求1所述的双扩散金属氧化物半导体场效应管结构，其特征在于，所述轮廓线为将多边形的全部或部分尖角改变为弧形后得到的形状。
4.如权利要求1所述的双扩散金属氧化物半导体场效应管结构，其特征在于，所述双扩散金属氧化物半导体场效应管结构为L双扩散金属氧化物半导体场效应管结构。
5.如权利要求4所述的双扩散金属氧化物半导体场效应管结构，其特征在于，该阱的结深大于所述轮廓线上间隔最远两点间距。
6.如权利要求1所述的双扩散金属氧化物半导体场效应管结构，其特征在于，所述双扩散金属氧化物半导体场效应管结构为V双扩散金属氧化物半导体场效应管结构。
7.一种双扩散金属氧化物半导体场效应管结构制造方法，该双扩散金属氧化物半导体场效应管结构包括漂移区，包括在该漂移区中注入粒子形成阱的步骤，其中注入的粒子需使得该阱的极型和漂移区极型相反，其特征在于，在该步骤中采用的粒子注入表面轮廓线全部或部分是曲线。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述粒子注入表面是圆形、椭圆形或者将多边形的全部或部分尖角改变为弧形后得到的形状。
9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述双扩散金属氧化物半导体场效应管结构为L双扩散金属氧化物半导体场效应管。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，注入该粒子的剂量需能够使得该阱的结深大于粒子注入表面间隔最远两点的间距。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海北京大学微电子研究院，未经上海北京大学微电子研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410216638.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件及其制作方法
- 下一篇：用于移动设备的多功能支架
- 同类专利
- 专利分类
