[发明专利]一种超低能带隙给体-受体共轭聚合物及其制备方法

权利要求书

1.一种超低能带隙给体-受体共轭聚合物，其特征在于:所述的共轭聚合物是基于联噻吩和(5-氧-噻吩并吡咯-6-亚基)苯并二呋喃-二酮的给体-受体共轭聚合物,所述共轭聚合物的结构式为：

其中，R₁为C₁₆-C₄₀烷烃链，R₂为H或C₈-C₂₄烷烃链，n≥1。

2.根据权利要求1所述的超低能带隙给体-受体共轭聚合物，其特征在于：所述的R₁烷烃链可选择C₁₆-C₄₀的支链烷烃。

3.一种如要求1所述的超低能带隙给体-受体共轭聚合物的制备方法，其特征在于：

以联二噻吩双锡单体和(5-氧-噻吩并吡咯-6-亚基)苯并二呋喃-二酮双溴单体为原料，采用Stille交叉偶联反应得到所述的半导体共轭聚合物，反应是在以三(二亚苄基丙酮)二钯为催化剂，三(邻甲基苯基)磷为配体的体系下聚合得到的；所述的联二噻吩双锡单体和(5-氧-噻吩并吡咯-6-亚基)苯并二呋喃-二酮双溴单体的摩尔比为1:1；三(二亚苄基丙酮)二钯的加入量为反应单体总摩尔量的2％；三(邻甲基苯基)磷的加入量为反应单体总摩尔量的4％。

4.根据权利要求3所述的一种超低能带隙给体-受体共轭聚合物的制备方法，其特征在于，所述的交叉偶联反应温度为80-130oC。

5.根据权利要求3所述的一种超低能带隙给体-受体共轭聚合物的制备方法，其特征在于，所述交叉偶联反应时间为6-72小时。