[发明专利]一种基于共轭聚合物掺杂的电双稳器件及其制备方法有效
申请号: | 201410216917.5 | 申请日: | 2014-05-21 |
公开(公告)号: | CN103972389A | 公开(公告)日: | 2014-08-06 |
发明(设计)人: | 曹亚鹏;胡煜峰;娄志东;侯延冰;滕枫 | 申请(专利权)人: | 北京交通大学 |
主分类号: | H01L51/00 | 分类号: | H01L51/00 |
代理公司: | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人: | 黄家俊 |
地址: | 100044 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 共轭 聚合物 掺杂 电双稳 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种基于共轭聚合物掺杂的电双稳器件,其特征在于:所述电双稳器件由基底(1)、缓冲层(2)、第一功能层(3)、第二功能层(4)和电极层(5)构成,其中基底(1)、缓冲层(2)、第一功能层(3)、第二功能层(4)和电极层(5)顺次相连;
所述缓冲层(2)为聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸膜;
所述第一功能层(3)为氧化锌纳米晶和聚氧化乙烯的混合物膜,其中氧化锌纳米晶均匀分散包裹于聚氧化乙烯中,所述氧化锌纳米晶和聚氧化乙烯的质量比为1:1;
所述第二功能层(4)为聚甲基丙烯酸甲酯膜。
2.根据权利要求1所述的一种基于共轭聚合物掺杂的电双稳器件,其特征在于:所述基底(1)为附有导电材料的玻璃基片。
3.根据权利要求2所述的一种基于共轭聚合物掺杂的电双稳器件,其特征在于:所述导电材料为氧化铟锡。
4.根据权利要求1所述的一种基于共轭聚合物掺杂的电双稳器件,其特征在于:所述电极层(5)为铝电极层。
5.如权利要求1所述的一种基于共轭聚合物掺杂的电双稳器件的制备方法,其特征在于,具体步骤如下:
步骤1,使用清洗剂将基底(1)清洗干净,再将其依次置入去离子水、丙酮和酒精中浸泡,并各超声30分钟以上,经氮气流干燥后,在紫外臭氧环境中处理15分钟以上;
步骤2,将缓冲层(2)材料聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸溶液均匀旋涂于经步骤1处理的基底(1)上,形成缓冲层(2);
步骤3,将步骤2所得样品进行干燥,使水分充分蒸发;
步骤4,按比例称量聚氧化乙烯,按比例加入氧化锌纳米晶的氯苯溶液,将所得混合溶液进行磁力搅拌使其充分混合;将所得混合均匀的混合溶液旋涂于缓冲层(2)上,形成第一功能层(3);
步骤5,配置聚甲基丙烯酸甲酯溶液,并进行磁力搅拌使其充分溶解,将所得溶液均匀的旋涂于第一功能层(3)上表面,形成第二功能层(4);
步骤6,在10-4Pa以上真空度的真空环境下将电极材料蒸镀到第二功能层(4)上,形成电极层(5),得到所需一种基于共轭聚合物掺杂的电双稳器件。
6.根据权利要求5所述的一种基于共轭聚合物掺杂的电双稳器件的制备方法,其特征在于:所述步骤2中旋涂转速为3000转/分钟,旋涂成膜时间为60秒。
7.根据权利要求5所述的一种基于共轭聚合物掺杂的电双稳器件的制备方法,其特征在于:所述步骤3中干燥温度为150℃,干燥时间为15分钟以上。
8.根据权利要求5所述的一种基于共轭聚合物掺杂的电双稳器件的制备方法,其特征在于:所述步骤4中旋涂转速为1000转/分钟,旋涂成膜时间为60秒。
9.根据权利要求5所述的一种基于共轭聚合物掺杂的电双稳器件的制备方法,其特征在于:所述步骤5中旋涂转速为2000转/分钟,旋涂成膜时间为60秒。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
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