[发明专利]一种基于共轭聚合物掺杂的电双稳器件及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201410216917.5 申请日: 2014-05-21
公开(公告)号: CN103972389A 公开(公告)日: 2014-08-06
发明(设计)人: 曹亚鹏;胡煜峰;娄志东;侯延冰;滕枫 申请(专利权)人: 北京交通大学
主分类号: H01L51/00 分类号: H01L51/00
代理公司: 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 代理人: 黄家俊
地址: 100044 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 共轭 聚合物 掺杂 电双稳 器件 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种基于共轭聚合物掺杂的电双稳器件,其特征在于:所述电双稳器件由基底(1)、缓冲层(2)、第一功能层(3)、第二功能层(4)和电极层(5)构成,其中基底(1)、缓冲层(2)、第一功能层(3)、第二功能层(4)和电极层(5)顺次相连;

所述缓冲层(2)为聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸膜;

所述第一功能层(3)为氧化锌纳米晶和聚氧化乙烯的混合物膜,其中氧化锌纳米晶均匀分散包裹于聚氧化乙烯中,所述氧化锌纳米晶和聚氧化乙烯的质量比为1:1;

所述第二功能层(4)为聚甲基丙烯酸甲酯膜。

2.根据权利要求1所述的一种基于共轭聚合物掺杂的电双稳器件,其特征在于:所述基底(1)为附有导电材料的玻璃基片。

3.根据权利要求2所述的一种基于共轭聚合物掺杂的电双稳器件,其特征在于:所述导电材料为氧化铟锡。

4.根据权利要求1所述的一种基于共轭聚合物掺杂的电双稳器件,其特征在于:所述电极层(5)为铝电极层。

5.如权利要求1所述的一种基于共轭聚合物掺杂的电双稳器件的制备方法,其特征在于,具体步骤如下:

步骤1,使用清洗剂将基底(1)清洗干净,再将其依次置入去离子水、丙酮和酒精中浸泡,并各超声30分钟以上,经氮气流干燥后,在紫外臭氧环境中处理15分钟以上;

步骤2,将缓冲层(2)材料聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸溶液均匀旋涂于经步骤1处理的基底(1)上,形成缓冲层(2);

步骤3,将步骤2所得样品进行干燥,使水分充分蒸发;

步骤4,按比例称量聚氧化乙烯,按比例加入氧化锌纳米晶的氯苯溶液,将所得混合溶液进行磁力搅拌使其充分混合;将所得混合均匀的混合溶液旋涂于缓冲层(2)上,形成第一功能层(3);

步骤5,配置聚甲基丙烯酸甲酯溶液,并进行磁力搅拌使其充分溶解,将所得溶液均匀的旋涂于第一功能层(3)上表面,形成第二功能层(4);

步骤6,在10-4Pa以上真空度的真空环境下将电极材料蒸镀到第二功能层(4)上,形成电极层(5),得到所需一种基于共轭聚合物掺杂的电双稳器件。

6.根据权利要求5所述的一种基于共轭聚合物掺杂的电双稳器件的制备方法,其特征在于:所述步骤2中旋涂转速为3000转/分钟,旋涂成膜时间为60秒。

7.根据权利要求5所述的一种基于共轭聚合物掺杂的电双稳器件的制备方法,其特征在于:所述步骤3中干燥温度为150℃,干燥时间为15分钟以上。

8.根据权利要求5所述的一种基于共轭聚合物掺杂的电双稳器件的制备方法,其特征在于:所述步骤4中旋涂转速为1000转/分钟,旋涂成膜时间为60秒。

9.根据权利要求5所述的一种基于共轭聚合物掺杂的电双稳器件的制备方法,其特征在于:所述步骤5中旋涂转速为2000转/分钟,旋涂成膜时间为60秒。

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