[发明专利]一种改善晶体硅太阳电池电性能的边缘刻蚀方法

权利要求书

1.一种改善晶体硅太阳电池电性能的边缘刻蚀方法，其特征在于：包括正面磷硅玻璃保护工序、背面和边缘磷硅玻璃去除工序、边缘和背面刻蚀工序、正面磷硅玻璃清洗工序；

所述正面磷硅玻璃保护工序包括将有机碱溶液均匀涂抹到扩散后的晶体硅片正面；

所述背面和边缘磷硅玻璃去除工序包括用氢氟酸去除扩散后的晶体硅片的背面及边缘磷硅玻璃；

所述边缘和背面刻蚀工序包括用有机碱溶液刻蚀扩散后的晶体硅片的背面及边缘；

所述正面磷硅玻璃清洗工序包括用氢氟酸清洗磷硅玻璃正面。

2.根据权利要求1所述的一种改善晶体硅太阳电池电性能的边缘刻蚀方法，其特征在于：所述正面磷硅玻璃保护工序中的有机碱溶液质量百分浓度为1-10%。

3.根据权利要求1所述的一种改善晶体硅太阳电池电性能的边缘刻蚀方法，其特征在于：所述背面和边缘磷硅玻璃去除工序中的氢氟酸溶液质量百分浓度为2-40%，反应时间控制在0.3-5分钟。

4.根据权利要求1所述的一种改善晶体硅太阳电池电性能的边缘刻蚀方法，其特征在于：所述边缘和背面刻蚀工序的有机碱溶液质量百分浓度控制在10-30%，刻蚀时间在1-20分钟，反应温度控制在35-95℃。

5.根据权利要求1所述的一种改善晶体硅太阳电池电性能的边缘刻蚀方法，其特征在于：所述正面磷硅玻璃清洗工序中的氢氟酸溶液质量百分浓度控制在2-10%，清洗时间在0.3-5分钟。