[发明专利]钝化层制造方法及高压半导体功率器件有效
| 申请号： | 201410216968.8 | 申请日： | 2014-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN105097570B | 公开（公告）日： | 2017-12-19 |
| 发明（设计）人： | 李理;马万里;赵圣哲 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/29 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 钝化 制造 方法 高压 半导体 功率 器件 | ||
1.一种钝化层制造方法，其特征在于，包括：
通过热氧化方法在硅衬底表面上生成第一氧化硅层；
在所述第一氧化硅层表面上沉积形成掺氧半绝缘多晶硅层；
在所述掺氧半绝缘多晶硅层表面上沉积形成掺氮半绝缘多晶硅层，其中，所述掺氧半绝缘多晶硅层和所述掺氮半绝缘多晶硅层的制备工艺类似，仅所采用的具体反应气氛不同；
在所述第一氧化硅层表面上沉积形成掺氧半绝缘多晶硅层中，所使用的第一反应气氛包括SiH4、N2O和N2；
在所述掺氧半绝缘多晶硅层表面上生长掺氮半绝缘多晶硅层中，所使用的第二反应气氛包括SiH4、NH3和N2；
在所述掺氮半绝缘多晶硅层表面上生成第二氧化硅层；
其中，所述通过热氧化方法在硅衬底表面上生成第一氧化硅层，具体包括：
将所述硅衬底放入到氧化炉中，通入保护气体并进行退火，所述退火温度为700-950℃；
向所述氧化炉内充入氧气并将所述氧化炉内温度升到预设氧化温度，保持第一时间，所述预设氧化温度为800-1200℃；
向所述氧化炉内充入惰性气体并将所述氧化炉内温度降低到初始温度，所述氧化炉内压力为0.5-1bar。
2.根据权利要求1所述的钝化层制造方法，其特征在于，在所述通过热氧化方法在硅衬底表面上生成第一氧化硅层之前，还包括：
利用酸性溶液清洗所述硅衬底。
3.一种利用如权利要求1或2所述的钝化层制造方法制成的高压半导体功率器件，其特征在于，包括：
硅衬底，
通过热氧化方法形成的第一氧化硅层，所述第一氧化硅层覆盖在所述硅衬底的表面上；
掺氧半绝缘多晶硅层，覆盖在所述第一氧化硅层表面上；
掺氮半绝缘多晶硅层，覆盖在所述掺氧半绝缘多晶硅层表面上；以及
第二氧化硅层，覆盖在所述掺氮半绝缘多晶硅层表面上。
4.根据权利要求3所述的高压半导体功率器件，其特征在于，
所述掺氧半绝缘多晶硅层中，氧含量为2％-35％；
所述掺氮半绝缘多晶硅层中，氮含量为5％-50％。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
