[发明专利]紫外掩膜及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种制备紫外掩膜(UV MASK)的方法及紫外掩膜。

背景技术

目前在TFT LCD(Thin Film Transistor-LiquidCrystal Display，薄膜晶体管液晶显示器)的成盒制程中，Array(阵列)玻璃与CF(Color Filter，彩色滤光片)玻璃完成贴合后，为防止LCD盒内液晶泄露、液晶与框胶反应、外环境污染物侵入等不良影响，需立刻对框胶进行固化处理。参阅图1，其中：100是紫外掩膜基板，101、102、103、104是框胶硬化装置对位的十字标记，110是紫外掩膜基板上遮挡显示区UV光的若干方块图形，在框胶固化过程中，需使用紫外掩膜(UV Mask)遮挡显示区，并漏出显示区外的框胶；在固化框胶的同时，应避免液晶盒显示区内液晶受到UV光照射而发生变化。

目前UV Mask基本是在Array玻璃上完成制作，其制作流程依次包括成膜、黄光、蚀刻、剥离、保护膜成膜等工序，其中各工序的要点如下：

成膜：一般使用业界习用的不透光金属层，因金属具备低穿透率，可遮挡紫外光。

黄光：目前有两个曝光方法，其中：

方法一是购买UV Mask遮光掩膜版曝光；

方法二分两步曝光，其中第一步是用栅极遮光掩膜板曝光用于对位框胶固化装置的对位标记，其中，一般情况下对位标记会设计在栅极掩膜板上，第二步是利用曝光装置的挡板遮挡显示区不曝光，曝光除第一步已曝光区域外的非显示区，显影后，显示区和十字标记位置上有光阻保护，其他非显示区上光阻与显影液反应。

以上是Array黄光一般采用正性光阻的情况，如果是负性光阻，第二步则曝光显示区，遮挡非显示区不曝光。

其中，方法一相对方法二曝光方法简单快速，但增加一张遮光掩膜板的成本；方法二利用曝光装置的挡板进行曝光，其虽然可节省一张UV Mask遮光掩膜板，但曝光方法复杂，速度较慢(其中典型的案例可以参阅CN101986206A)。目前，在曝光装置挡板精度能够达到UV Mask精度的情况下，一般会选择方法二来节约成本。

蚀刻:蚀刻非显示区的金属层，而使显示区金属被保护留下来。

光阻剥离:即制作出框胶固化装置的对位十字标记以及遮挡显示区金属的UV Mask。

保护膜成膜：在金属层表面成膜，以保护金属层不受到腐蚀,可选择氮化硅、二氧化硅等非金属膜。

具体请参阅图2-图3所示，现有技术中UV Mask(紫外掩膜)的制作工艺主要包括如下步骤：

S210：金属成膜，即，利用铬膜等金属膜202掩盖Array玻璃基板201，利用金属膜的低穿透率遮挡紫外光；

S220：Array黄光涂布光阻，即，在金属膜202上涂布Array黄光光阻203；

S230：Array黄光曝光，即，以Array曝光装置挡板204遮挡分布于显示区的Array黄光光阻203，并对非显示区的Array黄光光阻进行曝光；

S240：Array黄光显影，即，利用显影液除去非显示区的Array黄光光阻，而保留分布于显示区的Array黄光光阻205；

S250：Array黄光烘烤，即，对保留于显示区的Array黄光光阻203进行烘烤使之固化；

S260：蚀刻未被Array黄光光阻保护区域的金属膜；

S270：剥离余留金属膜表面的Array黄光光阻；

S280：在余留金属膜的表面形成保护膜206。

很显然，现有技术中的紫外掩膜的制作方法非常繁琐，成本较高。

总体来说，前述的采用ARRAY制程来形成UV掩膜板的方式工艺繁琐，操作复杂，因而使得其作业时间长，成本高昂。

发明内容

针对现有技术中的不足，本发明的目的主要在于提供一种紫外掩膜(UV Mask)的制作方法及紫外掩膜，能够简化制作流程，缩短制作周期短。

为实现前述发明目的，本发明采用的技术方案包括：

一种紫外掩膜的制作方法，包括：在彩色滤光片基板上覆设光屏蔽材料，并选择性地除去分布于所述基板的非显示区的光屏蔽材料，而保留分布于所述基板的显示区的光屏蔽材料，从而在所述显示区形成紫外掩膜。

作为较为具体的实施方案之一，所述紫外掩膜的制作方法可以包括：

在彩色滤光片基板上覆设黑色矩阵光阻材料，并选择性地除去分布于所述基板的非显示区的黑色矩阵光阻材料，而保留分布于所述基板的显示区的黑色矩阵光阻材料，