[发明专利]平面VDMOS器件的制造方法

说明书

本发明涉及一种平面VDMOS器件的制造方法，包括：在外延层的表面上生成初氧层，对初氧层进行光刻和刻蚀，形成体区注入窗口，通过体区注入窗口对外延层进行两种离子的注入和驱入，形成体区和源区；去掉外延层的表面上的初氧层；在外延层的表面上依次生成栅氧层、多晶硅层和介质层；对介质层进行光刻和刻蚀，形成接触孔，通过接触孔对外延层进行第三离子的注入和驱入，形成深体区；对源区进行刻蚀；在介质层的表面上生成金属层并对其进行光刻和刻蚀，形成栅极引线和源极引线，从而保证在体区、源区和深体区的形成过程中，不会在栅氧层中引入大量可动电荷，从而减小栅源间漏电IGSS，提高平面VDMOS器件的性能。

技术领域

本发明涉及半导体芯片制造工艺技术领域，尤其涉及一种平面VDMOS器件的制造方法。

背景技术

目前，对于平面VDMOS器件来说，栅源间漏电(IGSS)是衡量器件性能的一个关键参数。一般情况下平面VDMOS器件要求IGSS需小于100纳安，若IGSS过大，轻则会导致平面VDMOS器件的功耗增大，寿命变短；重则会导致平面VDMOS器件的栅源短路，难以正常工作。

现有技术中，平面VDMOS器件的制造过程如图1-图4所示，主要包括：(1)在衬底1的外延层2的表面上生长栅氧层3和多晶硅层4，对多晶硅层4进行光刻和刻蚀，形成体区注入窗口11，通过体区注入窗口11对外延层2进行第一离子的注入，形成体区5(P-body)(见图1)；(2)通过体区注入窗口11对外延层2进行光刻、刻蚀以及第二离子的注入，形成源区6，即先在栅氧上不需要刻蚀的部分涂上光刻胶7，然后进行刻蚀及注入(见图2)；(3)通过体区注入窗口11对外延层2进行第三离子的注入，形成深体区(见图3)；(4)在多晶硅层4的表面上生成介质层8，对介质层8进行光刻和刻蚀，形成接触孔(见图4)；(5)在介质层8的表面上生成金属层，并对金属层进行光刻和刻蚀，形成栅极引线和源极引线，得到平面VDMOS器件。

然而，在现有的平面VDMOS器件制造过程中，在体区5、源区6和深体区的注入时需要经过栅氧层3，在栅氧层3中引入了大量可动电荷，使得栅源间漏电IGSS过大，导致采用上述制造方法制造的平面VDMOS器件寿命较短或者难以正常工作，影响平面VDMOS器件的性能。

发明内容

本发明提供一种平面VDMOS器件的制造方法，用于解决现有技术中平面VDMOS器件寿命较短或者难以正常工作的问题。

本发明的第一个方面是提供一种平面VDMOS器件的制造方法，包括：

在外延层的表面上生成初氧层，对所述初氧层进行光刻和刻蚀，形成体区注入窗口，通过所述体区注入窗口对所述外延层进行第一离子的注入和驱入，形成体区；

通过所述体区注入窗口对所述外延层进行第二离子的注入和驱入，形成源区；

去掉所述外延层的表面上的所述初氧层；

在所述外延层的表面上依次生成栅氧层、多晶硅层和介质层；

对所述介质层进行光刻和刻蚀，形成接触孔，通过所述接触孔对所述外延层进行第三离子的注入，形成深体区；

对所述源区进行刻蚀；

在所述介质层的表面上生成金属层，并对所述金属层进行光刻和刻蚀，形成栅极引线和源极引线。

结合第一个方面，在第一个方面的第一种实施方式中，所述对所述介质层进行光刻和刻蚀，形成接触孔，通过所述接触孔对所述外延层进行第三离子的注入，形成深体区，包括：

对所述介质层进行光刻；

分别对介质层、多晶硅层和栅氧层进行刻蚀，形成接触孔；

通过所述接触孔对所述外延层进行第三离子的注入，形成深体区。