[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，

具备：

常关断型晶体管，具有与源极端子连接的第1源极、第1漏极、与栅极端子连接的第1栅极；

常开启型晶体管，具有栅极绝缘膜、与上述第1漏极连接的第2源极、与漏极端子连接的第2漏极、及与上述栅极端子连接的第2栅极；以及

电平位移元件，设置在上述栅极端子与上述第2栅极之间，具有位移电压，使上述第2栅极侧的电压降低上述位移电压的量，

上述电平位移元件的上述位移电压，比上述常关断型晶体管导通时上述栅极端子被施加的栅极电压、与上述常关断型晶体管的导通电阻和额定电流之积的差小，

上述电平位移元件的上述位移电压大于如下电压，该电压为：从上述常关断型晶体管导通时上述栅极端子被施加的栅极电压、与上述常关断型晶体管的导通电阻和额定电流之积的差中，减去5V而得到的电压。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述电平位移元件是第1齐纳二极管，上述第1齐纳二极管的阳极与上述第2栅极连接，上述第1齐纳二极管的阴极与上述栅极端子连接。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述电平位移元件是第1二极管，上述第1二极管的阳极与上述栅极端子侧连接，上述第1二极管的阴极与上述第2栅极侧连接，在上述栅极端子与上述第2栅极之间，与上述第1二极管并联地设置第2二极管，上述第2二极管的阳极与上述第2栅极连接，上述第2二极管的阴极与上述栅极端子连接。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在上述栅极端子与上述第2源极之间，还具备串联连接的第3二极管和第2齐纳二极管，上述第3二极管的阴极与上述栅极端子连接，上述第2齐纳二极管的阴极与上述第2源极连接。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述常开启型晶体管是GaN类半导体的HEMT。

6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

上述常开启型晶体管具有源极场板。

7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述常关断型晶体管是Si的纵型MOSFET。

8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述常关断型晶体管断开时的上述第1源极与上述第1漏极间的耐压，比上述常开启型晶体管的上述第2源极与上述第2栅极间的耐压低。

9.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

还具备第3齐纳二极管，该第3齐纳二极管具有与上述第1源极连接的阳极、和与上述第1漏极以及上述第2源极连接的阴极，齐纳电压比上述常关断型晶体管的雪崩击穿电压低。

10.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，

还具备：

第4二极管，设置在上述第1漏极与上述第3齐纳二极管之间，具有与上述第1漏极连接的阳极、和与上述第3齐纳二极管的阴极连接的阴极；以及

电容器，在上述第4二极管的阴极与上述第1源极之间，与上述第3齐纳二极管并联地设置。

11.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，

还具备肖特基势垒二极管，该肖特基势垒二极管具有与上述第1源极连接的阳极、和与上述第1漏极连接的阴极，正向压降比上述常关断型晶体管的寄生体二极管的正向压降低，该肖特基势垒二极管在上述第1源极与上述第1漏极之间、与上述第3齐纳二极管并联地设置。

12.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

还具备基板、源极的引线、漏极的引线、栅极的引线，

在上述基板上，从上述源极的引线侧朝向上述漏极的引线侧，依次配置上述常关断型晶体管、上述常开启型晶体管，

在上述基板上，从上述源极的引线侧朝向上述漏极的引线侧，依次配置上述第1齐纳二极管、上述常开启型晶体管，

上述源极的引线与第1源极连接，

上述漏极的引线与上述第2漏极连接，

上述栅极的引线与上述第1栅极以及上述第1齐纳二极管的阴极连接。