[发明专利]一种钕铁硼磁体的烧结方法有效
| 申请号： | 201410217229.0 | 申请日： | 2014-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN103971919B | 公开（公告）日： | 2017-07-18 |
| 发明（设计）人： | 陈芳芳 | 申请（专利权）人： | 京磁材料科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;H01F1/057;B22F3/10 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 赵青朵 |
| 地址： | 101300*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 钕铁硼 磁体 烧结 方法 | ||
1.一种钕铁硼磁体的烧结方法，包括以下步骤：
A）将制备钕铁硼磁体的原料经过第一次烧结后，得到烧结成型的钕铁硼磁体；
B）在真空或保护气体的条件下，将步骤A）得到的烧结成型的钕铁硼磁体进行第二次烧结后，得到钕铁硼磁体；
所述步骤B）具体为：
B1）在真空条件或保护气体的条件下，将步骤A）得到的一次烧结体进行第一次升温烧制，然后进行第一次恒温后，再次进行第二次升温烧制，第二次恒温后，最后冷却后得到烧结中间体；
所述第一次升温的温度为1000~1100℃；所述第二次升温的温度比第一次烧结的温度低10~50℃；
B2）将上述烧结中间体进行回火处理后，得到钕铁硼磁体。
2.根据权利要求1所述的烧结方法，其特征在于，所述一次烧结体的密度小于等于7.4g/cm2。
3.根据权利要求1所述的烧结方法，其特征在于，所述第一次升温的速率为4~12℃/min；所述第二次升温的速率为3~10℃/min。
4.根据权利要求1所述的烧结方法，其特征在于，所述第一次恒温的时间为2~6小时；所述第二次恒温的时间为3~6小时。
5.根据权利要求1所述的烧结方法，其特征在于，所述步骤B2）具体为：
在真空条件或保护气体的条件下，将上述步骤B1）得到的烧结中间体进行第三次升温烧制，第三次恒温后，再次进行冷却后，得到钕铁硼磁体。
6.根据权利要求5所述的烧结方法，其特征在于，所述第三次升温的温度为400~650℃，所述第三次升温的速率为4~12℃/min，所述第三次恒温的时间为3~6小时。
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