[发明专利]一种物理气相淀积制备复合LED积层无机电路板的方法

权利要求书

1.一种物理气相淀积制备复合LED积层无机电路板的方法，其特征在于，所述方法包括：

对无机金属基板进行除锈、清洗、干燥；

在所述无机金属基板的第一表面或第二表面物理气相沉积第一无机绝缘层，形成复合无机基板；

对复合无机基板进行激光钻通孔加工；

对复合无机基板的第二表面或第一表面进行研磨、清洗和干燥；

对复合无机基板的第一表面和第二表面分别物理气相沉积导电介质；其中所述通孔由所述导电介质完全填充；

对所述复合无机基板的第一表面和第二表面的导电介质分别进行图形化刻蚀；

物理气相淀积第二无机绝缘层，形成基板保护层；

对所述复合无机基板的顶层基板保护层进行图形化刻蚀，在图形化区域内露出金属焊盘电极；

在所述金属焊盘电极上物理气相淀积晶格适配层；所述晶格适配层的晶格结构与所述LED的晶格结构相匹配。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在物理气相淀积第二无机绝缘层，形成基板保护层之前，所述方法还包括以下步骤：

物理气相淀积第三无机绝缘层，形成图形化刻蚀区域的填充层及复合无机基板的表面绝缘层；

对所述复合无机基板的表面绝缘层进行图形化刻蚀，刻蚀至图形化区域内露出导电介质；

对复合无机基板的整板物理气相淀积导电介质；

对所述复合无机基板的第一表面的导电介质进行图形化刻蚀；

对所述复合无机基板的第二表面的导电介质进行图形化刻蚀。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在物理气相淀积第二无机绝缘层，形成基板保护层之前，所述权利要求2所述的步骤重复一次或多次。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在物理气相淀积第二无机绝缘层之前，还包括表面研磨、清洗和干燥的步骤。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述晶格适配层具体包括：SiC，以及Cr、Ni、Au、Ti、Sn、ZnO、As、Ga、Ge、In中的任意一种或多种。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述积层无机电路板的顶层的基板保护层的厚度为10％～20％顶层的导电介质的厚度。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述积层无机电路板的底层的基板保护层的厚度为10％～20％底层的导电介质的厚度。

8.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，底层的图形化刻蚀的导电介质构成多个用于与外部芯片或电路进行电连接的接触电极。

9.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第一表面为所述LED积层无机电路板的顶面，所述第二表面为所述LED积层无机电路板的底面。

10.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第一表面为所述LED积层无机电路板的底面，所述第二表面为所述LED积层无机电路板的顶面。